电子级多晶硅-中国有色金属标准质量信息网.docVIP

《电子级多晶硅》 编制说明 稿 201.7 《》产品标准编制说明 任务来源及计划要求 1. 任务来源 根据中国有色金属标准化技术委员会有色标委号文件的任务要求，委托东方电气集团峨嵋半导体材料研究所对修订GB/T 12963-2009《》产品标准进行，要求在201年内完成。 2．单位概况 东方电气集团峨嵋半导体材料研究所主要从事多晶硅、单晶硅、高纯金属和硅片加工等半导体材料的生产和技术研究，目前已发展成为在中国半导体材料行业集生产、科研、试制于一体的国有大型科技型企业，是国内重要的硅材料和高纯金属供应商之一，年产硅材料2200吨、高纯金属吨。研究所是国家242所重点科研院所之一，科研创新成果丰硕，历年来共承担完成国家级和省部级重点科研课题近300项，其中有75项成果获得省级以上科技进步奖，在中国半导体材料行业具有重要影响。 同时峨嵋半导体材料研究所检测设备齐全，拥有原子发射光谱仪、等离子发射光谱仪、原子吸收光谱仪、紫外分光光度仪、极谱仪、气相色谱仪、等离子质谱仪、辉光放电质谱仪等多种微量、痕量分析仪器，产品分析检测体系完善，具备完成多种高纯元素材料分析检测的能力，并多次主持和参与国家及行业有关标准的制定和修订。 二、过程 1. 产品标准原则 《》产品标准包括三方面要求，一方面新标准应力求达到较先进的标准水平，满足和保证行业应用的技术发展需要，另一方面也应结合我国材料工业实际生产水平，同时根据产品使用者的意见反馈，正确兼顾好彼此之间的关系，追求技术的先进性、指标的合理性和严谨性的统一。 本标准在制定中主要遵循以下原则： 科学性和技术先进的原则； 可行和严谨的原则； 2. 工作分工 根据标准在中遵循的原则，项目小组为保证其科学性、严谨性、先进性做了如下分工： 调研行业的生产概况及工艺技术水平 调研痕量分析水平 调研产品标准 . 主要工作过程和工作内容 2011年，在中国有色金属标准化技术委员会组织下，成立了以峨嵋半导体材料研究所为主的标准小组。在公司主管领导的关心支持下，小组随即开展了有关资料、信息收集和调研工作。标准小组经过认真调查、分析国内外生产技术及分析检测手段，在综合研究、分析、整理数据的基础上，对技术要素、性能指标等进行了。于2011年11月完成《》产品标准的稿 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质； 3.2 删除部分 3.2.1删除术语中氧化夹层的定义 3.3 修改部分 3.3.1把《硅多晶》标准的名称改为《电子级多晶硅》。 3.3.2把引用文件中SEMI MF1723修改为引用GB/T XXXX。 3.3.3把文中硅多晶一词全部替换为多晶硅，但除2 规范性引用文件以外。 3.3.4等级的技术要求修改为： 项目（一） 电子级多晶硅等级指标（一） 电子1级 电子2级 电子3级 施主杂质浓度(ppba) ≤0.15 ≤0.25 ≤0.30 受主杂质浓度(ppba) ≤0.05 ≤0.08 ≤0.10 少数载流子寿命（μs） ≥1000 ≥1000 ≥500 碳浓度（atoms/cm3） 1.0×1016 1.0×1016 1.5×1016 氧浓度（atoms/cm3） ≤1×1016 ≤1×1016 ≤1×1016 基体金属杂质浓度 (ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤1.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤1.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤2.0 表面金属杂质浓度 (ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤10.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤10.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤15 注：1.基体金属杂质和表面金属杂质的分析方法由供需双方协商解决。 3.3.4 把4.4.2修改为所有多晶硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。 3.3.5 把6.1.2修改为需方可对收到的产品进行检验。若检验结