Al-Mg-Si合金GP区的键络结构与界面能分析.pdfVIP

第 63卷 第 2期 有 色 金 属 Vo1．63．No．2 20 11年 5 月 NonfeITOHSMetals Mav 20 11 DOI：10．3969／j．issn．1OOl—o211．2011．02．OOl A1一Mg—Si合金 GP区的键络结构与界面能分析 王庆松 ，郑发农 ，王兴林 ，沈 洋 ，江 安 (安徽工程大学 数理 学院，安徽芜湖 241000) 摘 要 ：运用固体与分子经验 电子理论，计算 AI．Mg—Si合金 u 型 GP区的价 电子结构，运用硬球模型，对该体系的GP区 (L1 型)与基体之 问的界面能进行预测 。计 算结 果表 明，GP区具有 较强 的共价键络 ，是该合 金时效硬化 的主要 原囚 。GP区中 Mg—Mg原子之间的结合倾 向最大 ，是时效初期 GP区形成片状 的内在原 因。GP区随时效温度升高而键强减弱，从而热稳定性 降 低 。GP区与基体 的共格界面能 比基体 晶粒问的界面能低 ，是 GP区形成和生长的有利条件。 关键词 ：金属材料 ；A1．Mg—Si合金 ；GP区；价 电子结构 ；界面能 中图分类号 ：TG146．21；TG111．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—0211(2011)02—0001—05 A1一Mg—Si合金是 常见 的时效强化合金 ，应用广 对 A1一Mg—Si合金 GP(L1型 ，下 同)价电子结构进行 泛 。Al中添加少量含量不同的 Mg和 si，基本 不改 计算 ，揭示 了GP区原子键与合金强化 、自身形状及 变合金时效过程的沉淀序列及析出相 ，即在一定时 热稳定性之间的关系 ，并结合硬球模型 ，对 以上两种 效条件下可从过饱和固溶体中依次析 出亚稳相 (GP 时效温度下 GP区与基体之问的界面能进行预测。 区、 、卢，)及稳相卢 。其中亚稳相与基体保持共 1 结构模 型 格或半共格，而稳相 (与基体完全不共格 。该合金 在时效初期析出的GP区对合金强化及其他性能均 合金基体 AI为面心立方结构 ，晶胞结构如 图 1 起着重要作用 。因此 ，国内外很 多材料学家采 所示 ，晶格常数在室温下为 0．40496nm 。Al的线 用先进的设备和方法对其进行了深入观察和研究 ， 膨胀系数在 293～873K温度范 围内是 28．9×10 最近研究表 明 。 ，AI—Mg—Si合金 的 GP区随 Mg和 K ¨ 。 由线膨胀 系数的定义式 ¨¨可知点阵常数 si含量 比不同而形成两种不同的形态 与结构 ，当原 与温度 的关系式如式 (1)所示 ，其 中o 是室温下 的 子百分含量比Mg／Si·1时，GP区为 A1MgSi，呈针 点阵常数 ，6是线膨胀系数 ，。是某温度下的点阵常 状 ，其晶胞结构非常复杂。当原子百分含量 比Mg／ 数 。当温度为423K时 ，计算可得 Al晶胞的点阵常 Si1时 ，GP区为 MgSi，呈细 片状 ，其 晶胞结 构 为 数 Ⅱ=0．40642nm。 L1型。这两类 GP区均在人工时效初期 或 自然时 Ⅱ=o。×[1+6×(T一298．15)] (1) 效时大量细小均匀地析出。对于与基体完全共格的 u 型 GP区，由于形成初期应变能对该区的影响非 常小 ，因此 ，界面能在其形成过程 中就起到了很大的 作用。然而 ，目前对它 的研究主要集 中在实验与工 艺之上 ，而实验 中出现 的一些现象的研究并没有 深入到原子成键这一层面。 运用基于 Pauling的价键理论 和能带理论 建立 图 1 纯 AI晶胞 的固体与分子经验 电子理论 ，选取室温和 423K