Al掺杂ZnO薄膜的微结构及光学特性研究.pdfVIP

孟军霞 等 ：Al掺杂 ZnO薄膜 的微结构及光学特性研究 Al掺杂 ZnO薄膜的微结构及光学特性研究 孟军霞，马书懿，陈海霞，陶亚明，侯丽莉，贾迎飞，尚小荣 (西北师范大学 物理与电子工程学院，甘肃 兰州 730070) 摘 要： 采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备 晶性能发生了比较明显的变化。 出不同Al掺杂量的 ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍 2 实 验 射 (XRD)、扫描 电子显微 镜 (SEM)和光 致 荧光发 光 (PL)等系统研究了不同Al掺杂量对 ZnO薄膜的结晶 AZO薄膜是在JGP560BIV型超真空磁控溅射设 性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示，随着 备上采用射频磁控溅射法 ，在 7105型玻璃衬底上制备 Al掺杂量的增加 ，薄膜的(002)衍射峰先增 强后减弱， 的。实验所用靶材为纯度优 于 99．99 Zn靶 (直径 同时出现 了(100)、(101)和 (110)衍射峰 ，表 明我们制 60mm，厚度 4mm)，样品 a、b、C、d表示 Al的掺杂面积 备的AZo薄膜为多晶纤锌矿 结构 ，适量 的Al掺杂可 分别为0、2．5 、5．0 和 10．0 (扇形 Al片的面积与 提高ZnO薄膜 的结晶质量，然而AZo薄膜 的表面平 溅射靶 的面积比)，所对应的Al的掺杂浓度分别为 0、 整 、晶粒致密均匀。薄膜在紫外一可见光范围的透过率 0．90 、1．66％和 3．78 (原子分数)，靶与衬底距离 超过 90 ，同时随着Al掺杂量的增加，薄膜的光学带 为 50mm。O 和 Ar分别作为反应沉积过程 中的反应 隙值先增大，后减小。这与采用量子 限域模型对薄膜 气体和溅射气体 。制备前用去离子水、丙酮和酒精依 的光学带隙作 出相应的理论计算所得结果的变化趋势 次对纯度优于 99．96 的 自制 A1片和玻璃衬底进行 完全一致 。 超声清洗 15min，交替清洗 3次，清洗完毕后用干燥的 关键词 ： 磁控溅射法；AZO薄膜 ；结构特性 ；光学特 氮气吹干后迅速放人真空室 ，背景真空为 2×10 Pa， 性 ；量子限域 工作压强为 2Pa，O 和 Ar流量分别为 8和 10mL／ 中图分类号 ： O484．4；O484．5 文献标识码 ：A min，溅射 功率 为 100W ，沉 积 时 间 1h，衬底 温度 文章编号：1001-9731(2O1O)08—1317—04 200℃。并进行 400℃真空退火 1h。样 品的结构特性 用英国Bede公司制造的BedeD1多功能 X射线衍射 1 引 言 仪 (XRD；CuKa=0．154056nm)进行表征 ；样品的表面 近年来 ，人们开始对 ZnO薄膜 ，特别是 A1掺杂氧 形貌采用扫描电子显微镜 (SEM)进行观察 ；薄膜 的可 化锌 (AZo)薄膜研究有 了浓厚的兴趣。大部分文献报 见光透射和吸收谱用紫外分光光度计 (UV22550；330 道 ，用溶胶一凝胶和射频磁控溅射等方法_l1 可制备 ~ 800nm)测量 ；薄膜光致荧光光谱采用美 国Perkin AZO薄膜 ，且射频溅射法制备 AZO薄膜所用靶材为 Elmer公司生产 的 LS-55的荧光／磷光分光光度计测 ZnO：A1陶瓷复合靶 。与此不同，笔者采用将高纯度 量 ，其 光谱 范 围为 350～600nm，激发光源为波长 的扇形金属 Al片加在 Zn靶上共溅射的方法，并通过 220nm的脉冲氙灯 。所有的测量都在室温下完成。 改变溅射靶上扇形 Al片的面积与溅射靶 的面积 比来