Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响.pdfVIP

李智敏 等 ：Al掺杂对 SiC粉体微波介 电性能的影响 Al掺杂对 SiC粉体微波介 电性能的影响 李智敏 ，周万城 ，苏晓磊。，罗 发 ，黄云霞 (1．西安 电子科技大学 技术物理学院，陕西 西安 710071； 2．西北工业大学 凝 固技术 国家重点实验室 ，陕西 西安 710072； 3．西安工程大学 机电工程学院，陕西 西安 710048) 摘 要： 采用高温固相反应法，以Al粉和 SiC粉为 99 ，粒度 75~m)按照摩尔配 比 (A1)： (SiC)一1： 原料合成 A1掺杂 SiC粉体 。通过 X射线衍射分析和 10进行球磨均匀混 合 ，装入石 墨坩埚 内，置于真空烧 拉曼光谱对合成粉体进行 了表征。结果表 明，当反应 结炉 (锦州三特 ZRSl50)中，以600℃／h的速度分别 温度高于 1900℃时，合成产物 中未 出现 Al的杂质相 。 升温至 1800、1900和 2000。C，保温 1h，炉 内真空度为 在 2000oC时，相对较 多的 Al原子进入到 SiC晶格 形 10Pa。然后随炉冷却至室温制备 Al掺杂 SiC粉体 。 成 Al—SiC固溶体 。在 8．2～l2．4GHz频率范围，采 用 2．2 粉体的表征和介 电性能测试 波导法对未掺 杂和掺杂 SiC粉体的介 电常数进行 了测 利用 PANalytical公 司的 X’PertMPD X射线衍 试 。结果表明，A1原子掺杂形成 Al—SiC固溶体 ，可以 射仪 (X—raydiffraction，xRD)分析合成粉体的物相组 有效地提 高SiC粉体的微波介电性能。 成 ，采用 Cu靶 Ks射线。用激光拉曼散射仪 (Ren— 关键词 ： SiC粉体 ；A1掺杂；固相反应 ；介 电性能 ishawInVia)对合成 的粉体作拉曼分析 ，采用背散射几 中图分类号 ： TQ127．1 文献标识码 ：A 何配置 ，Ar激光源的激发波长为 514．5nm。 文章编号：1001—9731(2010)增刊 Ⅱ一0331-03 采用波导法对合成粉体在 8．2～12．4GHz频率范 围内的介 电常数进行测试。考虑到石蜡的低介 电损耗 1 引 言 性 ，测试样品由合成粉体和石蜡组成 。即将质量 比为 碳化硅具有硬度高、耐化学腐蚀、抗氧化性 能好、 7O 的测试粉体均匀分散在熔融石蜡 中，然后浇铸 到 热膨胀系数小 、热传导率高及半导体性等优异性能 ，在 铜质法兰中制得样品 ，样 品尺寸为 ：1O．16mmX22．86 结构材料和高温电子器件方面有着许多应用[1]。近 mm ×2mm，测 试 设 备 为 矢 量 网络 分 析 仪 (Agilent 年来 ，电子和通讯系统 引起 的电磁污染增加 了 SiC在 TechnolOgiesE8362B)。 微波损耗材料领域 的研究_3“]。但是 SiC本身几乎不 3 结果与讨论 具备吸波性能，通过掺杂的方法可以改变其介 电性能， 使其具有一定的微波损耗能力。赵东林等 利用激光 3．1 合成粉体的物相和结构分析 法制备 了 n型掺杂 的纳米 SiC／N 粉体 ，其在 8．2～ 图1是 SiC原料粉体和 1800、1900和2000oC温度 12．4GHz频段显示 了较好的介 电损耗性能 ，证 明了掺 合成粉体 的x射线衍射图谱。可 以看出，实验采用 的 杂提高 sic微波介 电性能的可行性 。 SiC粉体原料包含有立方 口一SiC(3C—SiC)和 a—SiC(6H— 由于Al原子和 SiC晶体中的 si原子具有相近 的 SiC)相 。1800℃固相 反应产物 中除了 la-SiC和 d—SiC 共价半径和 电负性 ，而且 Al