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CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较 刘登峰。李园园，汪晓芹。杨志远 (西安科技大学化学与化工学院，陕西 西安710054) [摘 要] 常用于x射线和 射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不 到的划痕，采用溴甲醇(Brz—CH，OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕，使表面变得光亮平整。但经Brz·CH3OH腐蚀 的表面富Te而产生较大的表面漏电流，为此，采用H2O2溶液，NH4F／H2O2溶液，KOH-KC1溶液 +NH4F／H2O2溶液 二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺，对CZT晶片表面进行了钝化处理，并对比了其钝化效果。结果表明：二步法 钝化效果最好，表面漏电流降低4个数量级，NHF／H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好，表面漏电流降低3个数 量级。 [关键词] 钝化；cdznTe晶片；化学抛光；表面漏电流；探测器 [中图分类号]T_1816 [文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2010)05—0040—03 0 前 言 1 试 验 CdZnTe(CZT)晶片近年来常被用来制备x射线和 1．1 试样制备 射线探测器 ，并 已成为研究热点…。在 CZT探测器 1．1．1 CZT 晶片 制备过程中，晶体的表面处理是影响其性能的重要因 将用布里奇曼法 生长的P型cd。．zn。．Te晶体 素。通常，探测器的工作性能很大程度上是由探测器 按 (111)面定向切割成 16．0mmx16．0mm×1．7mm， 的漏电流决定的，为了减小表面漏电流对器件性能的 再经研磨、机械抛光、清洗 (Br2．CHOH溶液机械抛光 制约，往往需对半导体器件的表面进行钝化。文献介 后的CZT晶片外观很光亮平滑，但微观表面仍有少许 绍的对CZT器件进行钝化处理的方法有湿法化学法和 轻微的划痕，表面损伤层厚度约为21．4 m。这些损伤 干法物理法等。在干法钝化过程 中，衬底 的温度一般 层、划痕及结构缺陷等会影响器件的性能，所以采用 较高，不可避免地对器件材料及电极造成损伤，从而影 2％Br一CH3OH进行化学抛光 ，可去掉 22．0 m以上的 响其性能；而湿法钝化所需的设备简单，操作方便，对 表面层及机械抛光留下的表面损伤层，从而得到晶格 器件材料和电极的影响较小 J。但 目前对湿法化学 较为完整的光滑表面，降低表面漏电流)后，在 甲醇(分 钝化的工艺鲜见详尽介绍。为了获得高性能的探测 析纯，99．7％)中超声 (频率 40kHz)清洗 4次，最后用 器，需要进一步对CZT晶体的化学钝化工艺条件进行 N吹干 ，得到待用的CZT晶片。 探讨 。 1．1．2 电 极 本工作采用H202，NH4F／H202，KOH—KC1+NH4F／ 用KYKYSBC-12型溅射仪对抛光后的CZT晶片 HO溶液和溴水 4种湿法化学钝化工艺对经溴 甲醇 2面进行快速溅射，使 CZT晶片表面形成 Innl的 (Brz—CHOH)溶液腐蚀处理后的CZT晶片进行钝化处 Au膜 电极。溅射工艺参数：10mA，400s，镀膜厚度约 理，借助微电流测试仪研究其 ，．特性，根据 ，一 特性 为60nm。 曲线的形状比较其钝化效果，以确定 CZT晶片的最佳 1．2 CZT晶片表面钝化 钝化工艺条件。 为了便于比较，将 同一晶片分成 4份按如下4种 钝化工艺进行处理：(1)30％HO：水溶液钝化 2rain，再 [收稿 日期 ] 2009—12—17 [基金项 目] 陕西省教育厅专项 (06JK244)资助 用去离子水清洗、烘干；(2)用 10％(质量分数，下同) [通信作者] 刘登峰