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载子扩散
漸變的雜質濃度分佈 衍生的電場 = 內建電場 阻止載子持續擴散的行為 內建電場的推導 愛因斯坦關係式 遷移率與擴散係數 霍爾效應 霍爾效應之幾何測量 霍爾電壓推導 霍爾量測 (濃度與遷移率量測) 載子的產生與復合 平衡態的產生與復合 過量載子的產生與復合 相關符號 照光產生過量的載子 過量載子復合機制 電子濃度的淨改變率 復合速率 過量載子生命期 Chapter 4 載子的傳輸現象 Carrier transport phenomena 電洞漂移電流 ρ : 電荷體積密度 (C/cm3) 電洞漂移電流 (I) _ + E mp* F a 電洞漂移電流 (II) μp : Mobility (遷移率) 比例因子 說明粒子受到電場作用時可移動的程度 單位 : cm2/V-s 遷移率(mobility) 電子漂移電流 _ + E mn* F a vdn 載子漂移電流 遷移率效應 電洞隨機運動表現 電子與電洞遷移率 晶格散射 (Lattice scattering) 聲子散射 (Phonon scattering) 當溫度高於絕對零度時,晶格原子會產生隨機的振動,造成電子與電洞與振動的晶格原子產生交互作用,而產生了散射的效應 游離雜質散射 游離雜質散射 (Ionized impurity scattering) 半導體中常使用摻雜雜質原子來控制或改變半導體的特性 這些雜質在室溫時是游離的 電子及電洞與這些雜質離子間存在著庫倫作用 這種庫倫作用會造成散射或碰撞效應,進而改變電荷載子的運動情形 晶格散射 遷移率總和效應 電導率 電導率 (I) 電導率 (II) 速度飽和 載子擴散(diffusion) 一容器被隔膜分隔,其中氣體分子在隔膜的一邊 x=0 擴散 diffusion 電子濃度對距離的關係 擴散電流推導 載子的擴散電流密度 總電流密度 總電流 = 漂移電流 + 擴散電流
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