Al3＋掺杂金红石TiO2结构计算模拟、制备与电特性研究.pdfVIP

Al。+掺杂金红石TiO。结构计算模拟、制备与电特性研究／邹荣荣等 ·135 · Al3+掺杂金红石 TiO2结构计算模拟、制备与电特性研究 邹荣荣，庄孝坚，潘海波，韩志钟 (福州大学化学化工学院，福建省功能材料工程研究中心，福州 350108) 摘要 分别采用分子动力学方法和溶胶一凝胶法，计算模拟与制备了替位式掺杂金红石AP ／Ti()2，并采用X射 线衍射和阻抗谱对其晶型及电性质进行表征。结果表明，Al”掺杂浓度达到 2．6％(摩尔分数)时，仍保持金红石相； Al掺杂浓度为2．1 (摩尔分数)时，晶体具有结构高对称性、较大的氧离子扩散 系数和较高的离子电导率。 关键词 分子动力学 金红石TjO2 Ap+掺杂 结构 导电性 中图分类号：O561．2 文献标识码：A ComputerSimulation，SynthesisandElectricalCharateristicsofRutileAI+／TiO2 ZOU Rongrong，ZHUANGXiaojian，PANHaibo，HANZhizhong (FujianEngineeringResearchCentreofFunctionalMaterials，CollegeofChemistry ChemicalEngineering． FuzhouUniversity，Fuzhou35O108) Abstract Moleculardynamicssimulations(MD)wereappliedtoevaluateA1 一dopedrutileTi02at300K and 101kPa．andthecorrespondingA1。 dopedTiO2nanopowderswerepreparedbysol-gelmethod。respectively．Phasei— dentificationofthesesampleswascarriedoutusingXRD and theirelectricalpropertiesweredetectedbyimpedance spectroscopy．Theresultsshow that，asthedopantamountofA1什 ionsisupto2．6mol ，samplesstillmaintainthe rufflephase．W hendopedwith 2．1mol A1” ions，thecrystalstructurewithhighsymmetry，thehigherdiffusion coefficientofoxygenionsandionicconductivityforthesampleoccurred． Keywords moleculardynamicssimulation(MD)，rutileTi02，A1 doping，structure，electricalproperties 观结构与特性机理等研究领域。 0 引言 本研究通过对掺杂后的晶胞参数、面分布函数、均方位 掺杂可提高半导体的导电特性，因此有关掺杂半导体氧 移等进行分子动力学模拟，并结合实验结构表征与交流阻抗 化物中电子传输性质的研究越来越引起人们 的关注_l1]。 测量来研究Al计掺杂金红石 TiO 体系的导电特性与微观结 TiO 作为典型的半导体材料之一，不论从理论还是从实验上 构间的关系。 均受到了广泛的研究。常温下纯金红石相 TiO。呈 电绝缘 1 模拟方法与实验过程 体，电导率小于 1O 。Q-1·cm 。然而，掺杂 In、Cr、Cd、Ce 或Fe能很好地改善其导电性[2--4]。