MgO缓冲层对PZT／A1GaN／GaN异质结构电学性能的影响.pdfVIP

992 助 财 斟 2011年第6期(42)卷 MgO缓冲层对 PZT／A1GaN／GaN异质结构 电学性能的影响 张 菲，朱 俊 ，罗文博 ，郝兰众 ，李言荣 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要： 采用脉冲激光沉积 (PLD)技 术 ，以MgO作 介质材料 ，铁电薄膜的介电常数较大 。更为重要 的是 ， 为缓冲层 ，在 A1GaN／GaN 半导体异质结构上沉积 了 在外加电场的作用下 ，铁 电薄膜 中的 自发极化是可翻 Pb(Zr。 T。 ． 52 ． 48 )O3(PZT)铁 电薄膜，从而形成金属一铁 转的。将铁 电薄膜材料与 A1GaN／GaN集成 ，在降低 电一介质一半导体结构 (MFIS)。XRD扫描结果表 明，通 栅极漏电流的同时保持较低的 。同时，铁 电薄膜 中 过 MgO缓冲层对界面结构的优化 ，实现 了PZT薄膜 独特的铁电性能还将使其在非易失铁电存储器方面存 沿 (1l1)面择优取向生长。电流一电压 (／-V)测试结