MgO缓冲层对PZT／A1GaN／GaN异质结构电学性能的影响.pdfVIP

992 助 财 斟 2011年第6期(42)卷 MgO缓冲层对 PZT／A1GaN／GaN异质结构 电学性能的影响 张 菲，朱 俊 ，罗文博 ，郝兰众 ，李言荣 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要： 采用脉冲激光沉积 (PLD)技 术 ，以MgO作 介质材料 ，铁电薄膜的介电常数较大 。更为重要 的是 ， 为缓冲层 ，在 A1GaN／GaN 半导体异质结构上沉积 了 在外加电场的作用下 ，铁 电薄膜 中的 自发极化是可翻 Pb(Zr。 T。 ． 52 ． 48 )O3(PZT)铁 电薄膜，从而形成金属一铁 转的。将铁 电薄膜材料与 A1GaN／GaN集成 ，在降低 电一介质一半导体结构 (MFIS)。XRD扫描结果表 明，通 栅极漏电流的同时保持较低的 。同时，铁 电薄膜 中 过 MgO缓冲层对界面结构的优化 ，实现 了PZT薄膜 独特的铁电性能还将使其在非易失铁电存储器方面存 沿 (1l1)面择优取向生长。电流一电压 (／-V)测试结果 在巨大的潜在应用 。作为一种典型的铁 电材料 ，PZT 显示，MgO缓冲层的引入大大改善 了集成体 系的电学 不仅具有大的介电常数 ，还具有较大的剩余极化和较 性能。在外加 电压为一8V 时，与无 MgO缓冲层 的 低 的矫顽场_l8]。将 PZT 与 A1GaN／GaN 集成成为 MFS异质体 系相 比较 ，该 MFIS结构的漏 电流 密度 降 MFS结构 ，将有可能实现较低 的漏电流和较好 的栅控 低 了5个数量级 。集成体 系的电容一电压 (C_V)表现 出 能力。 逆时针 窗 口特征 ，反 映 了铁 电极化对 二 维 电子 气 然而 ，由于 PZT属 四方 晶系 ，其 晶格常数约为 (2DEG)的调制作用。随着缓冲层厚度的降低 ，铁 电极 0．4001nm，而 A1GaN 为六 方 晶系，其 晶格 常数为 化对 2DEG的调制作用逐渐增强。当MgO缓冲层厚 0．3186nm。如果将 PZT与 GaN类半导体直接集成 ， 度达到 2nm 时，C．V窗 口达到 0．7V，阈值 电压 (h)降 不同的晶体结构和较大的晶格失配将导致界面处存在 低到一1．7V。 大量界面态和缺陷，从而对器件的电学性能产生诸多 关键词： 脉冲激光沉积 ；PZT；MgO；C_ ；V 不利的影响，如铁 电性能下降及漏 电流增加等。引入 中图分类号： TN384 文献标识码 ：A 合适的缓冲层可以解决这一问题 。缓冲层需要起到两 文章编号 ：1001-9731(2011)06-0992—04 个作用 ：首先，降低晶格失配 ，促进 PZT薄膜的择优取 向生长 ；其次，提高界面势垒高度 ，降低异质结构 的漏 1 引 言 电流。MgO为四方 晶系 ，具有与四方 晶系的PZT相 作为第三代半导体材料 ，GaN类半导体具有抗击 似的晶体结构及相近 的晶格常数 ，采用 MgO作为缓 穿场强大 、热稳定性好等特点。由于 自发极化的存在 冲层 ，将有可能获得界面态较好 、结晶质量较高的PZT 和较大 的能带差 ，A1GaN／GaN界面处会形成二维 电 薄膜 。同时其与GaN势垒高达 2eV，可有效避免 电子 子气 (2DEG)_1j。2DEG 中的电子具有较高的面电荷 跃迁造成 的漏 电流过大现 象。因此 ，本文采用 MgO 密度和迁移率等特点，尤其适合在高温 、高频及大功率 作为缓冲层 ，在 A1GaN／GaN 半导体异质 结上生长 器件方面的应用_l2]。 PZT薄膜 ，从而形成 MFIS