Mn0.99V0.01CoGe合金的磁滞行为及其磁热性能研究.pdfVIP

马胜灿 等 ：Mn V CoGe合金的磁滞行为及其磁热性能研究 文章编号 ：1001—9731(2014)10—10033—05 Mn 。V。．。CoGe合金的磁滞行为及其磁热性能研究 马胜灿 ，刘华英 ，侯 东 ，柯 慧 ，钟震晨 (1．南昌航空大学 材料科学与工程学院，南昌330063；2．南 昌航空大学 科技学院，南昌 330034) 摘 要 ： 研究 了Mn。lg。V CoGe合金在升降温等温 忆合金马氏体相变和逆马氏体相变附近磁化强度 的变 磁化过程 中的磁滞行为及对其磁热性能的影响。发现 化量随着特征温度 的不 同会有所不 同口 。因此对一 合金在一级磁结构相变附近升降温等温磁化过程表现 级磁相变材料对 比研究其相变附近升降温变温过程磁 出明显不同的磁 滞行 为，降温过程 的磁滞损耗 明显 大 性及磁热性能就显得尤为迫切 。 于升温过程。讨论 了这种磁滞行为的差异现 象对合金 Mn—Co-Ge基合金 ，作为一种著名的磁热材料，近 磁 热性 能 的影 响 。 年来人们研究很多。正分的 MnCoOe合金是一个简 关键词： Mn 。V。．。CoGe合金；升 降温等温磁化过 单的铁磁体，室温下具有正交TiNiSi结构，居里温度 程；磁滞行为差异 ；磁热性能 在约 345K，在约 650K，MnCoGe合金会发生一个从 中图分类号 ： 0482．54；0482．5 文献标识码 ：A 正交 TiNiSi到六角 Ni。In的结构相变口 ]。然而 ，该 DOI：10．3969／j．issn．1001—9731．2014．10．006 结构相变发生在顺磁 区域，磁化强度变化不大 ，没有实 际意义。因此人们就通过各种办法 ，比如间隙位原子 1 引 言 掺杂口引、改变化 学成 分口 ]、取代 过渡 或 主族元 基于磁热效应的室温磁制冷技术被誉为新一代制 素l】。等来降低 MnCoGe合金的结构相变温度 ，使之 冷技术 ，以其节能环保 、高效可靠等优点有望取代传统 在室温附近能够观察到一个剧烈 的正交 TiNiSi铁磁 的气体制冷技术 ]。通常情况下，磁热效应用等温磁 到六角 NiIn顺磁的磁结构相变，相变附近磁化强度 熵变 (x／S )和绝热磁温变 (△丁 )来表征 。室温磁制冷 出现突变 ，从而研究 由此导致 的大的磁热效应等功能 技术 的关键在于高磁热性能的磁制冷工质 。为了获得 性质 。 大的磁热效应 ，相变温度在室温附近 的一级磁相变材 本文中，通过少量掺杂过渡元素 V 的办法获得 了 M n 。V。 料备受人们关注口_8_。原 因在于一级磁相变附近材料 ． 。 CoGe合金 ，在该合金 中观察到了一级磁结 ，,-9 、 构相变，对 比研究了合金相变 附近升降温变温过程 中 的磁化强度出现突变，根据麦克斯韦关系 ( ) 一 ＼d 几 ， T 磁滞行为及磁热性 能，发现升降温过程 中磁滞行为 出 ／ ^／r、 现 了差异 ，并 由此讨论了磁滞行为差异现象对合金磁 (＼』，) ，将获得大的磁熵变。然而不可避免的磁滞损 H 热性能的影响 。 耗会削弱材料的磁热性能 ，从而会影响一级磁相变材 料在磁制冷技术 中的应用 ]。因此在探索一级磁相变 2 实 验 材料磁热性能过程 中，同时具有大 的磁热效应和小的 2．1 Mn 9V lCoGe合金的制备 磁滞损耗是人们努力