Si镶嵌结构的光致发光研究.pdfVIP

魏晋军 等 ：SiC／ZnO／Si镶嵌结构 的光致发光研究 SiC／ZnO／Si镶嵌结构的光致发光研究 魏晋军 ，马书懿 (1．西北师范大学 知行学院，甘肃 兰州 730070；2．西北师范大学 物理与电子工程学院，甘肃 兰州 730070) 摘 要 ： 采用磁控溅射法制备 了SiC／Zn0／si镶嵌 结 优于 99．9 的 Ar气体 ，基片与溅射靶 的间距 为 构复合薄膜 ，对样品采用了不同的温度进行退火处理， 50mm。本底真空为 2．5×10 Pa，控制溅射过程中的 测定 了样品的光致发光图谱 。结果显示，复合薄膜 的 工作气压为 0．75Pa，Ar表观质量流量为 10mL／min。 光致发光强度较单体薄膜有一定的增 强，主要原 因是 样品制备过程中射频溅射功率控制为 85W ，样品沉积 发光复合中心的多元化和分布浓度 的增加；随着退火 时间分别为 1h，根据实验测试 目的不 同，分别制备 了 温度的不同，各峰位的变化趋势有所不同。 退火温度 为 800、650、600℃和退火 温度为 700、500、 关键词 ： 磁控共溅射；复合薄膜；光致发光 300。C的两组样品，相 同条件下退火时间为 30min。 中图分类号 ： O469 文献标识码 ：A 文章编号 2O10)12—2151—02 1 引 言 Zn 自从半导体材料 的光致发光现象被发现 以来 ，其 SiC 广阔的应用前景一直备受人们关注，目前在研究过程 中遇到的最大困难之一就是发光强度弱 ，效率较低uj， Si0 突破这一难题的重点研究方 向是硅材料改性和硅基材 料的镶嵌结构 j。硅基材料镶嵌结构 由于发光复合 中 图1 复合靶结构示意 图 心多元化以及纳米界面薄膜层的引入 ，基于量子尺寸 Fig1Sketchmapofthecompositetarget 效应能够产生光学能隙宽化 ，可见光光致发光，共振隧 薄膜 的结构分析采用 BDX3200型衍射分析仪 道效应 ，非线性光学等独特的光 电性能r3]，同时与现代 (CuKa，一0．15406nm)在 臼～20模式下进行 ；样 品的 集成电路存在较好 的工艺接 口，因而 日益成为关注的 吸收谱用岛津 uV一2550分析仪测量 ；样 品的PL光谱 焦点。 利用 Hitachif一4010型荧光分光计测试，激发光源为功 si是半导体工业 的基础材料 ，应用广泛，工艺成 率为 150W 的氙灯 ，激发波长为 230nm。所有测量均 熟 ，是非直接带隙半导体材料；SiC是一种优秀的微 电 在室温下完成。 子材料，在高温 、高频 、大功率 、强辐射环境 中颇具应用 潜力 ，它是问接禁带半导体 ，只在低温 下在 480nm 处 3 结果与讨论 有微弱的蓝光发射 ；ZnO是一种直接宽带隙多功能半 图2是在不同退火温度下薄膜样品的 XRD三维 导体材料，具有优 良的物理性能，在高效率光散发设备 斜向视图(峰位角度以最前低图线为准 ，其它图线峰位 和声表面波、透明电极 、蓝光器件 [4 等方面都有较大 在相对应的同一角度处 ，但反映强度变化)，分别对应 的应用潜力 。