SiC单晶材料加工工艺研究进展.pdfVIP

· 6 · 材料导报 A：综述篇 2014年 1月(上)第28卷第 1期 SiC单晶材料加工工艺研究进展 肖 强 ，何雪莉 (1 西安工业大学机电工程学院，西安 710032；2 陕西师范大学，西安 710062) 摘要 SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料，其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点，突 出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题 ，因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点。介绍了SiC 单晶材料去除机理，总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势，这对于提高SiC单晶片加工技术和应用 水平有重要的理论意义和实用价值。 关键词 SiC单晶 精密磨削 化学机械抛光 表面质量 中图分类号：TB321；TG580．68 文献标识码：A RecentProgressinM achiningProcessofSiC SingleCrystal XIAOQiang，HEXueli。 (1 School0fMechanicalandElectronicEngineering，Xi’anTechnologicalUniversity，Xi’an710032； 2 ShaanxiNorma1University，Xi’an710062) Abstract SiC singlecrystalisanimportantthirdgenerationofsemiconductormaterials．However，asatypical materialdifficulttOmachine，thereisnomaturemachiningtechnologyforSiC singlecrysta1．Highefficientandlow damagemachiningtechnologyhasbecomethemainobstacleforitsindustrialapplication．Thematerialremo-va1me- chanism ofSiC singlecrystalisanalyzed indetailandnew machiningprocessesaresummarized．Theproblemsthat stillexistbynowarepointedoutandthedevelopmenttendencyisdiscussed．Theyhavegreattheoreticalsignificance andappliedvaluetOpromotetheapplicationofSiC singlecrystalinthesemiconductorfield． Keywords SiC singlecrystal，finegrinding，chemomechanica1polishing，surfacequality 0 引言 1 SiC单晶材料去除机理研究进展 SiC单晶片是继第一代元素半导体材料 (Ge和Si)、第二 SiC单晶材料技术的发展势必给 SiC晶片表面质量的提 代化合物半导体材料(GaAs、InP等)之后发展起来的第三代 高带来更大的挑战。SiC单晶基器件性能的优劣程度极大地 宽禁带半导体材料，其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强 依赖于生长于SiC单晶衬底上的外延层晶格的完整性及平 等特性，使其成为制造高频、大功率、抗辐照及光电集成器件 整度，在外延生长之前的衬底表面加工工艺对外延层的质量 的理想材料_l】]。SiC单晶基器件制造工艺 已成为国际上半 有很大的影响，因此低粗糙度、无缺陷的表面是高质量外延 导体材料领域的一个研究热点。SiC单晶的制备与应用虽取 层生长的关键 。由此可