SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究.pdfVIP

李镇江 等 ：SiC一维、准一维纳米材料 的制备工艺研究 SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究 李镇江 ，范炳玉 ，孟阿兰。，张 猛 (1．青岛科技大学 机 电工程学院，山东 青岛 266061；2．青岛科技大学 化学与分子工程学院，山东 青岛266042) 摘 要 ： 综述 了近年来SiC一维、准一维纳米材料制 2 SiC一维、准一维纳米材料的制备方法 备工艺的最新研究进展，重点介绍了模板生长法、化学 气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶一凝胶 法 2．1 模板生长法 的工艺特点，并对不同工艺方法制备的 SiC一维、准一 模板生长法是一种较为直接、有效 的方法 。主要 维纳米材料的微观形貌 、优异性能进行 了简要概述，总 利用模板的限域作用，在限制了纳米结构材料的生长 结了现阶段 SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研 究 方向同时为其提供形核空间，原位合成与模板空间结 所面临的 问题及发展前景。 构相一致的纳米结构材料 。研究者通过模板生长法成 关键词 ： SiC：一维、准一维纳米材料 ；制备工艺 功制得了SiC一维 、准一维纳米结构材料 ，主要包括碳 中图分类号： TB383 文献标识码 ：A 纳米管(CNT)模板生长法和 阳极氧化铝 (AAO)模板 文章编号 ：1001-9731(2011)06—0967-04 生长法两类 。 2．1．1 碳纳米管模板生长法 1 引 言 以碳纳米管作为模板 ，通过引入 Si、SiO及 Si／ SiC是第三代宽带隙半导体材料，具有临界击穿 SiO 的混合物作为硅源 ，与碳纳米管反应可以制备出 电场高、抗辐射能力强、热膨胀系数小、热传导性能优、 SiC纳米管。Pan等[】。以制备 的碳纳米管阵列和纯度 化学稳定性好 、硬度大 、强度高、熔点高和密度低等优 为 99．9 的SiO 粉末为原料 ，在氩气保护下加热到 良性质 。近年来 的研究结果表明，与块体材料相 比，纳 1400℃并保温 2h，得到与碳纳米管相似 的SiC纳米线 米尺度的一维 、准一维 SiC材料具有许多更优异的特 阵列 ，垂直于衬底生长 ，直径 1O～40nm，长度可达 性和更广泛 的应用 。例如 ，一维 、准一维 SiC纳米材料 2ram。纳米管阵列的顶端(远离基板的末端)存在着大 的室温光致发光处于蓝色发光区，阈值 电场低 ，电流密 量的铁 ／硅纳米粒子催化剂 ，而底端 (与基板连接 的末 度大，高温稳定性好等，使其成为制造高频、大功率、耐 端)是 由高密度 (10。～10 cm )的孤立的纳米管的尖 高温和抗辐射 的纳米 电子和光 电子器件 的理想材 端组成 ，场发射性能测试表 明定 向碳化硅纳米管阵列 料[1]，用于制造蓝光发光二极管和激光二极管[3]，还 在真空微 电子器件应用方面有很好 的前景 。Ruem— 可作为场发射 阴极材料[4]。而 SiC纳米线的高机械 meli等报道了通过 Si粉与多壁碳纳米管在 1350℃时 强度及大的长径比，使其可能成为陶瓷基、金属基及聚 大量制备出了碳填充、生长端为开 口结构的碳化硅纳 合物基复合材料 的有效增强相，并能改进材料的导 电 米管[1。Pham—Huu等报道了以碳纳米管为模板，Si／ 性、耐腐蚀性和光学性质等 吨]。研究者还发现 SiC一 SiO 的混合物为硅源，在 1200~1350℃下加热蒸发产 维 、准一维纳米材料在储氢[9]、光催化[1。。、传感器件_l】 生 SiO气体，与不同管径的碳纳米管通过气一固反应制 和纳米 自清洁涂料[1等领域也都有广阔的应用前景。 得了直径约为 5～10