SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究.pdfVIP

· 22 · 材料导报 B：研究篇 2012年7月(下)第 26卷第7期 SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 陈 达 ，刘林杰。，薛忠营 ，刘 肃 ，贾晓云 (1 兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000；2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ， 信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 摘要 利用RPCVD系统，在 150mm(100)硅片衬底上了制备 出高质量锗硅合金薄膜，研究了温度和锗烷流量 对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响，并对薄膜进行 了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜 、高分辨x射 线衍射 、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明，通过克服 RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺 杂控制困难等缺点，制备出高质量的SiGe薄膜。 关键词 薄膜 减压化学气相沉积 硅锗 负载影响 中图分类号：TN304．1 文献标识码：A ResearchontheLoadingEffectsandPerformance0fSiGeFilm GrowthbyRPCVD CHENDa ，LIULinjie，XUEZhongying。，LIUSu，JIAXiaoyun (1 SchoolofPhysicalScienceandTechnology，LanzhouUniversity，Lanzhou730000；2 SateKeyLaboratoryofFunctional MaterialsforInofrmatics，InstituteofM icrosystem andInformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050) Abstract Byusingreducedpressurechemicalvapordeposition(RPCVD)，theeffectsofgrowth temperature andgermanium flow forSiGedepositionin150mm (100)siliconsubstratewerestudied，anditsdopingtreatmentwas made．Thentheepitaxia1filmswereestimatedwithhighresolutiontransmissionelectronmicroscopy，highresolution X-raydiffraction，atomicforcemicroscopyandsecondaryionmassspectrometry．Theresultsshow thathighquality SiGefilmsweregotbyovercomingthehighdefectdensityanddopingcontrolsinRPCVD system． Keywords thinfilms，RPCVD，SiGe，loadingeffects 量约为2O (摩尔分数)的硅锗合金薄膜，并对减压系统 中工 0 引言 艺参数进行了定性分析，克服了RPCVD系统 中外延界面缺 异质结 SiGe材料 由于具有高迁移率特点，成为未来微 陷密度高、掺杂控制困难等缺点 。 电子器件的重要组成部分 。在过去几年里，在硅上外延生长 1 实验 SiGe薄膜引起了人们极大的兴趣 。硅锗薄膜能带结构可以 人工调节，并且与 目前成熟的 si平面工艺相兼容口j，表现出 使用ASM 公司Eipsilon2000单片式 RPCVD系统生长 SiGe材料独特的物理特性 。SiGe合金材料还为制备纯锗、 所有样品。系统包括 4个主要部分：氮气净化保护的装载 应变硅等高迁移率材料提供了 “虚”衬底，具有很大的开发价 室