300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化.pdfVIP

维普资讯 第31卷 第6期 稀 有 金 属 2007年 12月 Vo1．31№ ．6 CHINESEJOURNALOFRAREMETALS Dec．2007 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化 黄军辉，周旗钢 ，万关 良，肖清华，库黎明 (北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司，北京 100088) 摘要：通过建立 300l／lln硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程 ，分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动 轨迹分布的影响，调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度 确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为 300mill硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表 面质量提供了理论依据。 关键词：双面化学机械抛光；轨迹模拟；非均匀性；DSP 中图分类号：TN304．12 文献标识码：A 文章编号 ：0258—7076(2007)06—0737—05 对用于线宽为纳米级工艺的300mm或更大直 度的影响，但是对于硅片上下表面抛光去除均匀 径硅片的平坦化加工中，双面化学机械抛光技术 性及运动轨迹 的优化并没有深入研究。Wenski 逐渐取代了传统的单面抛光。关于化学机械抛光 等 【1l_提出了优化运动轨迹的重要性，但对于如何 的去除机理，大体可分为两种，第一种基于流体力 优化轨迹并没有进一步讨论。 学，认为在硅片和抛光垫之间被一层流动的抛光 本文根据 Preston方程_6的原理 ，通过建立双 液分开，去除是由于抛光液颗粒的流动产生侵蚀 面化学抛光硅片相对于上下抛光垫的运动轨迹 ， 作用而产生的。最早的有 Runnels分别从晶圆级_】] 分析抛光垫转速对运动轨迹分布均匀性的影响以 和形貌级_2上对抛光液的流动建立了模型。Sohn 及抛光布与硅片的相对速度对抛光速率的影响， 等3【也做了类似工作。Sundararajan等4【]则基于流 同时计算轨迹长度优化上下抛光垫的转速关系， 体理论建立二维模型分析了抛光液的传输。最近 对生产具有一定的指导意义。 的Kim等 5【则考虑抛光垫的弹性变形建立 了三维 1 运动轨迹方程的建立 模型，分析了不同抛光垫对流动层厚度的影响。第 二种基于接触模型，认为镶嵌在抛光垫 中的抛光 图1显示 了双面化学机械抛光的平面极坐标 液颗粒的磨削作用，导致硅片表面去除。Preston方 程 6【]最早认为抛光去除速率和抛光压力及相对速 度成正比关系，即属于此类。Basse等 最近通过 实验也验证 了硅片表面去除的主要原因是抛光液 颗粒的机械磨削作用。 由于第二种机理可以很好的解释实验现象， 被研究人员广泛认可。Hashimoto等_8]建立了单面 化学机械抛光的运动轨迹 ，Patrick等_9]对单面抛光 的抛光垫转速和硅片转速调整认为，两者之间同 向且转速接近的时候抛光具有较好的均匀性 。Tso 等 】【0]通过建立的双面化学机械抛光的轨迹模型分 图 1 双面化学机械抛光设备运动关系坐标图 ． 析太阳轮、行星轮及抛光垫转速等对表面微粗糙 Fig．1 qlareecoordinatesystemsproposedforpolishingmachine 收稿 日期 ：2007—08—19；修订 日期：2007—09—30 基金项 目：科技部国际合作重点项 目(2oo5DFA51o5O)资助 作者简介：黄军辉 (1982一)，男 ，浙江台州人，硕士研究生；研究方向：双面化学机械抛光 *通讯联系人 (E—mail：zhouqigang@gtitek．toni)