中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜.pdfVIP

汪振 中等 ：中频磁控反应溅射制备 C轴择优取 向A1N薄膜 中频磁控反应溅射制备 C轴择优取向AlN薄膜 汪振 中，褚夫 同，刘兴钊 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要： 通过 中频磁控反应溅射 ，在 Si(100)衬底上 来的Al与氮反应 ，并在衬底表面生长 ，形成 A1N薄 沉积 AlN 薄膜 ，并用X射线衍射 、扫描 电子显微镜和 膜。溅射时没有加热，但是在溅射过程 中等离子会给 Raman光谱表征 A1N 薄膜的微观特征。实验 中，研 究 衬底加 热，温度 大约在 150～200。C。溅射 时 间为 了氮分压、靶基距 、溅射功率对 AlN薄膜质量的影响， 60min。具体的参数如表 1。 并优化参数制备高质量 的c轴取 向的 AlN薄膜。结 表 1 A1N薄膜的生长参数 果表明，提高溅射功率、降低靶基距 以及降低氮分压， Table1ThegrowthparametersofA1N film 有利于c轴择优取 向AlN 的生长。在优化条件下制 靶 材 A1(99．999 ) 备的AlN薄膜具有高度 C轴取 向，(002)摇摆 曲线的 背景真空(Pa) 3．0E——3 半 高 宽为 5．7。，Raman光 谱 E (high)声 子 峰 的 靶基距 (mm) 70～l2O FW HM 为 13．8cm_。。 溅射 功率 (W) l5OO～25OO 关键词： AlN；中频反应溅射 ；Raman光谱 Ar流 量 (mI／rain) 80～16O N2流量 (mL／min) 16～100 中图分类号 ： 0484．1 文献标识码 ：A 实验 中，采用英国BedeD1型多功能 X射线衍射 文章编号 ：1001-9731(2O10)增刊 3-0449-03 仪对薄膜的晶体结构进行表征 ，通过测试摇摆 曲线表 1 引 言 征薄膜 的织构 ；用场发射扫描电子显微镜观察薄膜的 断面 ；通过 Raman光谱分析薄膜 的应力及缺陷。 A1N有许多优异性能，禁带宽度为 6．2eV，高热导 率 ，纵向声速快 ，而且具有压电性能，使其在机械 、微 电 3 结果与讨论 子 、光学 ，以及 电子元器件 、声表面波器件 (SAw)、薄 溅射过程中，主要研究氮分压 、靶基距 、溅射功率 膜体声波器件 (FBAR)等通信和功率半导体器件领域 对薄膜质量的影响 。 有着广阔的应用前景 。 首先 ，Ar流量为 80mI／rain以及其它的生长条件 由于 AlN单晶体材很难在常温下制备 ，因此都是 不变，调节 N 的流量为 2O、27、34mL／min，沉积 AlN 在其它衬底上生长 ，比如蓝宝石 、SiC、Si。AlN薄膜的 制备方法 ，一般有 MBE¨1]、MOCVD_2]、射频磁控溅 薄膜 。如图 1所示，N。流量为 20、27mL／min(氮含量 射_3]、中频磁控溅射等。MBE、M0CVD能够生长 出