分步反应法制备SiC掺杂MgB2超导线材的研究.pdfVIP

分步反应法制备SiC掺杂MgBa超导线材的研究／单 迪等 ·5 · 分步反应法制备 SiC掺杂 MgB2超导线材的研究 单 迪 ，熊晓梅 ，刘国庆 ，焦高峰 ，闫 果 ，周 廉L (1 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，西安 710072；2 西北有色金属研究院，西安 710016) 摘要 以干燥的B粉和 Mg粉为原料，采用分步反应法制备 了SiC(4O～45m)掺杂的 MgBe／Nb／Cu超导线 材。通过 x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)研 究了在 650。C热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相 组成、微观结构的影响。采用标准四引线法测定 了样品的电阻温度曲线，结果表 明，当该工艺第二步热处理温度为 650℃时，反应不完全，应适当升高温度 ；同时高SiC掺杂量有利于在 Mg 线材 中引入更多B位 C掺杂，表现为 略有降低 ，从而提高了其磁通钉扎特性。 关键词 MgB2超导线材 SiC掺杂 微观结构 超导电性 StudyonSiC—dopedM gB2Superc0nductingW iresFabricatedbyTwo-stepPIT SHANDi ，XIoNGXiaomei，LIU Guoqing，JIAOGaofeng ，YAN Guo，ZHOU Lian (1 StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072； 2 NorthwestInstituteforNon-ferrousMetalResearch，Xi’an710016) Abstract MgB2／Nb／Cusuperconductingwiresarefabricatedbytwo—stepPIT processusingdryBandMg powdersthroughSIC(40——45~m)doping．Thephaseidentities，microstructureareinvestigatedbyX-raydiffraction (XRD)，scanningelectronicmicroscopy(SEM )．R—T curvesaremeasuredbystandardfour-probemethod．Theresults show thatwhentheheattreatmenttemperaturei8650。C inthesecondstep。thereactioniSnotful1．SOthetemperature shouldberaised．AtthesametimemoreSiC-dopediSinfavorofintroductionintomoreC substitutionforBbites，re— suitinginsuperconducting decreasesslightly，toenhancefluxpinningcapability． Keywords MgBesuperconductingwires，SiC-doped，microstructure，superconductingproperty 先驱粉末。 ，、 ．一 U jl再 MgBz超导体因具有各向异性小、晶界不存在弱连接 、相 干长度大等优势而具有 良好 的实用化前景。粉末装管法 (PIT)是制备 MgB：线材的主要方法，包括 2种技术路线 ，即 先位法 (Ex-situ)和原位法 (Insitu)。原位法 PIT过程 由于 Mg高温下化学活性较大 ，各研究小组尝试选择不与 Mg发 生化学反应 的金属及复合材料作为包套材料 ，如 Fe_】J、不锈 、 Nb／Cu／SSE。等。Nb作为包套材料 ，芯丝具有较好 的 超导性能，但在高温下Nb与B之间形成复杂硼化物，影响其 载流能力及热稳定性能 ]，故应降低热处理温度 以减少硼化 物的产生。本实验采用镁 的熔点 650℃进