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固体透氧膜（SOM）法由SiO2电解制备多晶硅
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赖冠全 等 固体透氧膜 SOM 法由SiO２ 电解制备多晶硅 ０２１７７
文章编号: ( )
１００１Ｇ９７３１２０１６０２Ｇ０２１７７Ｇ０６
( ) ∗
固体透氧膜 SOM 法由SiO２电解制备多晶硅
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赖冠全 邹星礼 程红伟 郑 凯 李尚书 耿淑华 鲁雄刚
( , )
上海大学 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室 上海 ２０００７２
摘 要: 对太阳能以及光伏行业的发展具有重要 中添加质量分数为 的聚乙烯醇缩丁醛( )后于
Si ５％ PVB
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战略意义 因此被广泛地研究和应用 利用固体透氧 球磨机中湿磨 １５h取出烘干后将质量为 ０．３g的
膜(solidoxideox enionＧconductin membrane,简 SiO 粉末在 ２~６MPa下压制成直径为 １０mm的圆
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称 SOM 法在 CaCl熔盐中对 SiO 直接电解制备多 片 然后在 ８００~１０００℃下烧结 ４h 将烧结后的阴
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晶硅进行了深入研究 结果表明 不同压片压力及烧 极片用泡沫镍包裹好后 再用细钼丝缠绕于粗钼丝上
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结温度会对阴极片电解过程产生影响 ０．３ SiO 粉 制作成阴极 阳极由８％ 摩尔分数 氧化钇稳定氧化
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末在 ２MPa下压制成型并于 ９００℃下烧结 ４h后 在 锆 YSZ管 金属锡粒 碳粉和铁铬铝丝组装而成
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１０００℃施加 ４．０V进行熔盐电解 ２h能得到纯多晶 使用分析纯无水 CaCl作为熔盐电解质 刚玉坩埚为
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硅 电流效率为８２．３％ 电解反应过程包含 SiO２ → 电解槽 实验过程中采用高纯氩气作为保护气氛 将
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