射频磁控溅射沉积高质量ZnO薄膜的工艺研究.pdfVIP

李伙全 等：射频磁控溅射沉积高质量 Zn()薄膜的工艺研究 射频磁控溅射沉积高质量 ZnO薄膜的工艺研究 李伙全，曾祥华，韩玖荣 (扬州大学 物理科学与技术学院，江苏 扬州 215002) 摘 要 ： 在 室温下利用射频磁控溅射法在硅 (100)基 艺参数 。另外，在溅射制备 ZnO薄膜过程中很容易形 片上制备 ZnO薄膜 ，利用X射线衍射 (xRD)和扫描电 成氧空位 、锌空位等缺陷。薄膜 中缺陷的存在会直接 子显微镜 (SEM)对其结晶性能进行分析。研究了制备 影响薄膜的物理性质，因此可以通过控制制备过程 中 条件对薄膜沉积速率的影响。分析了薄膜沉积速率对 源气体中氧气和氩气的流量比来降低薄膜缺陷，改善 薄膜结晶状况的影响及源气体 中的氧气和氩气的流量 薄膜质量 。本文系统分析用磁控溅射法制备 ZnO薄 比对薄膜结晶状况的影响。研究结果表 明，薄膜的生 膜的工艺条件对其沉积速率 的影响，分析薄膜沉积速 长速率强烈依赖于射频功率和工作气压，薄膜 的结晶 率对薄膜结晶质量的影响，并分析源气体中氧气和氩 性能强烈依赖于薄膜的沉积速率和反应气体 中氧气和 气的流量 比对薄膜质量的影响。在最佳 的工艺条件下 氩气的流量 比。制备高结晶质量的ZnO薄膜 的最佳 制备出了结晶度好 ，表面致密平整 ，其可见光 区透过率 工艺参数 为靶到衬底 的距 离为 4cm，输入功 率为 达 9O 的 Zn0薄膜 。 250W ，源气体 中氩气和氧气的流量比 (Ar)：(O。) 2 实 验 为5：20，溅射工作气压为 2Pa。在最佳工艺条件下所 制备的薄膜表面平整致密，接近单晶，在可见光 区的透 采用 JGP-560D型磁控溅射仪制备 ZnO薄膜，磁 射 率高达 9O 。 控溅射射频功率为 13．5MHz，靶材纯度为 99．99 的 关键词： ZnO薄膜 ；工艺参数 ；择优取向 ZnO，靶的直径为 5．2cm，沉积 时基片的温度为室温， 中图分类号： O484．4；TB43 文献标识码 ：A 所有的样品沉积时间都是 30min。薄膜 的溅射条件在 文章编号 ：1001-9731(2012)05—0677—04 表 1中给出。 利用台阶仪对以上样 品的厚度进行测试，计算不 1 引 言 同样品的沉积速率。利用 PHIlIPSXL一30型环境扫 ZnO薄膜是一种 自激活具有六方纤锌矿结构的 n 描 电子显微镜 (SEM)观察 M 样品的表面形貌。采用 型半导体 ，在室温下具有与 GaN相似的禁带宽度 (3．3 DU一8B紫外 ／可见光分光光度计测量 N样品的透射 eV)，具备发射蓝光和近紫外光 的优越条件 引，可作 率 。采用 RigakuD／Max一30C型 X射线衍射仪对所制 为 LED器件 的候选材料 。ZnO在可见光和红外波段 备 的薄膜进行 x射线衍射分析 (XRD)。 具有很 高的透射率 (约 90 )，可代替铟锡氧化物 3 结果与讨论 (ITO)作为太 阳能 电池和液 晶显示所 需 的透 明电 极 ]。研究制备高质量 ZnO薄膜的制备工艺条件， 3．1 工艺参数对薄膜沉积速率的影响 对促使 ZnO薄膜用于 LED及太 阳能电池产业 的应用 分析靶间距、工作气压、溅射功率等 因素对 ZnO 具有重要意义。随着对 ZnO薄膜材料研究的深入， 薄膜沉积速率的影响，得 出工艺参数对薄膜沉积速率 ZnO薄膜的制备工艺已经相 当成熟 ，制备方法多种多 的作用规律 。 样 ，如溶胶一凝胶法_ll]、射频