掺Eu-（3＋）近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱特性.pdfVIP

助 锨 材 料 2011年第1期(42)卷 掺 Eu。+近化学计量 比铌酸锂晶体的生长与光谱特性 万云涛，夏海平，张嗣春，章践立 (宁波大学 光电子功能材料研究所 ，浙江 宁波 315211) 摘 要 ： 以K ()为助熔剂，采用大的固液界面温度 高透明性使得 LN 晶片在进行光刻时，在 晶片背面形 梯度 (90～ 1O0℃)，应 用坩埚 下降法成功地 生长 了含 成漫散射 ，从而降低光刻电路 的衬度 ，导致失真的线 Eu抖离子 (原料 中初始 Eu。摩 尔浓度 0。95 )的近 宽。国内外有学者采用化学还原的工艺来获得具有低 化学计量比铌酸锂单晶。测定 了晶体 中Eu抖离子的 透光率和弱热释电效应的 IN黑片，用 以克服上述存 浓度 以及 晶体 的室温吸收光谱 、激发 与发射光谱 。根 在 的问题_l6’。 据晶体吸收边的位置 ，估算 出晶体 中LiO的摩尔分数 目前工业中所用的LN晶体大多由提拉法技术生 含量为约49．47 。分别在吸收光谱与激发光谱 中观 长获得，近几年我们 的研究表明，坩锅下降法又是一 测到特征的Eu计吸收与激发峰 。在 394nm 波长光的 种生长 LN 晶体的有效工艺技术 I9l。在生长过程中 激发下观 测到 D]一 F，(0，1，2，3，4)的荧光发射峰 。 晶体隔绝空气和水 ，因此生长获得的晶体 中存在一定 根据测得的不 同部位 Eu。离子的浓度 与不同部位晶 程度的缺氧情况 ，导致晶体的颜色 比较深，大多呈现棕 片的吸收和发射峰 的强度情况，可推 断出Eu。离子浓 色。这在一定程度上能降低 IN 晶体 的透光率和热释 度在晶体 中的分布沿着生长方向逐渐减少。根据测得 电性能，有利于晶体 的后续加工。我们在实验 中还发 的Eu”浓度，计算得到有效分凝 系数为约 1．02。 现用坩锅下降法生长 的掺某些稀土离子 的LN 晶体 ， 关键词： Eu抖离子 ；KO；近化学计量比铌酸锂 ；坩埚 其荧光寿命明显 比用提拉法技术生长的高。 下降法 ：光谱 根据 LiO—Nb。O 相 图的特点 ，存在一 同成分点 中图分类号： TB381 文献标识码：A ((Li2o)： (Nb2O )一48．6：51．4)，因此 目前大量 文章编号 ：1001—9731(2O11)01—0112-04 实用的 IN 晶体为 同成分化学计量 比，由于 同成分 1 引 言 IN晶体中缺少 Li组分 ，使得晶体 中存在大量 的本征 大量的研究表明含 Eu”离子 的固态物质在激光 缺陷 ，导致抗激光损伤等光学性能的大幅度下降，从而 与光存储领域会有潜在的重大应用l1j。另外 ，由于 严重地制约了这些活性离子掺杂 LN 晶体 的广泛应 Eu。离子能级结构简单 ，可对 D。一 F。能级跃迁进行 用。在 LN晶体中掺入 MgO和ZnO或者进行磁化处 格位选择激发 ，从而获取 Eu。离子 占据格位的信 息， 理可 以改 良其某方面的特性l_1。’…。但是，通过改善工 因此可作为微观局域环境的探针 引。