掺杂β-FeSi2的研究进展.pdfVIP

· 26 · 材料导报 A：综述篇 2011年 1月(上)第 25卷第 1期 掺杂 [i-FeSi2的研究进展 王朋乔，谢 泉，罗 倩 (贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所，贵阳 550025) 摘要 ~-FeSi2是一种新的环境友好型半导体材料，通过在 13-FeSiz中掺入不同的杂质 ，可制成P型或n型半导 体。从掺杂~?-FeSi2的制备技术、电学性质、光学性质和热电性质等几个方面介绍了掺杂31-FeSi。的发展状况，并展望 了掺杂13-FeSi2的研究方 向。 关键词 掺杂~-FeSi2 制备技术 电学性质 光学性质 热电性质 中图分类号：TN304．2 文献标识码 ：A ReviewonDoped~-FeSi2 WANGPengqiao，XIEQuan，LUOQian (InstituteofAdvancedOptoeleetronicMaterialsandTechnology，CollegeofScience，GuizhouUniversity，Guiyang550025) Abstract FeSizisanenvironment—friendlysemiconductormaterial，andwhendopingdifferentelementonp_ FeSi2，itbecomesap-typeorn-typet?-FeSi2semiconductor．Thepreparationmethodsandtheresearchofdifferent dopantson13-FeSi2Selectricalproperties，opticalpropertiesandthermoelectricpropertiesareintroduced．Andsome prospectsofdoped1~FeSieareputforward． Keywords dopedt?-FeSi2，preparationmethods，electricalproperties，opticalproperties，thermoelectricpro～ perties 存在 2种 Fe原子位置 (FeI和 Fe1I)和 2种 Si原子位置 0 引言 (SiI和 Si1I)。Fe-Si系存在几种硅化物相，如FeSi、FeSi等， 当今 ，在光伏 、光电和热电转换材料的研究领域 中，8_Fe— 在较低温度下较稳定的相是半导体 ~-FeSi。，而在高温下为金 si被认为是最有发展前景 的环境友好型半导体材料之一 ， 属 FeSi。。13-FeSi是一种本征半导体，具有主导的电子结 其源材料 Fe和Si元素在地壳中大量存在，价格便宜，而且毒 构的是过渡金属 d态，Fe原子 3d轨道上的电子和 Si原子2p 性小，抗氧化性好，环境适应性强，在近红外传感器、发光元 轨道上的电子发生轨道杂化，使得 Fe的3d轨道和 Si的2p 件 、太阳能电池和热电转换元件等方面有着广泛的应用。作 轨道相互作用形成反键，从而决定了13-FeSi的半导体性质。 为光电材料 ，13-FeSi具有 0．80～0．89eV 的准直接带隙，对 13-FeSi。在形成的过程中对杂质的存在非常敏感，通过掺杂可 于红外波长有很高的吸收率，理论光 电转换效率可达 以改变其光电性能、磁学性质和热 电性能。目前，已有不少 l6 ～23 ，仅次于晶体硅 。13-FeSi能在硅表面外延，与硅 关于杂质的存在对~-FeSi的光 电性能、热 电性能、磁学性能 器件工艺相匹配，可 以更好地发展硅基近红外光源 、探测器