掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响.pdfVIP

陈进军 等 ：掺杂浓度及退火对 Ta—ZnO透 明导 电薄膜表面形貌 的影 响 687 掺杂浓度及退火对 Ta—ZnO透明导 电薄膜表面形貌的影响 陈进军 ，曹 铃 ，宋学萍 ，孙兆奇 (1．贵州大学 电气工程学院，贵州 贵阳 550003；2．安徽大学 物理与材料科学学院，安徽 合肥 230039； 3．“光电信息获取与控制”教育部重点实验室 ，安徽 合肥 230039) 摘 要： 室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底 上制 成新的化合物就可能获得性能优 良的透明导电薄膜。 备 了掺 Ta—ZnO透明导 电薄膜 ，并在不 同温度下退火 表面形貌对薄膜的光电性能有非常重要 的影响 ， 处理。利用原子力显微镜 、X射线光 电子 能谱仪对薄 因此有必要对 薄膜 的表面形貌进行分析_1。本文对 膜进行 了表征分析 ，对 于不同掺杂 比例 的Ta—ZnO 薄 沉积在 Si基片上不同掺杂 比例 Ta—Zn0薄膜的表面形 膜 以及退火后 的Ta—ZnO 薄膜 的表面形貌进 行 了研 貌 以及退火温度对薄膜的表面形貌和结晶颗粒形状和 究。当掺杂比例为5 (质量分数)时，薄膜有最大平均 大小影响进行 了研究 。 颗粒尺寸 94．46nm 和最小表面粗糙度4．48nm。随着 2 实 验 退火温度的升高，该薄膜表面粗糙度 (RMS)先增加后 减小，平均颗粒尺寸在 94．46～118．05nm之 间。 2．1 Ta—Zn0薄膜制备 关键词 ： Ta—ZnO薄膜 ；射频磁控溅射 ；掺杂 ；表面形 硅基片清洗 ：将基片依次在丙酮溶剂 、去离子水 、 貌 ；退火 乙醇溶液 中各超声清洗 lOmin后 用去离 子水充分 冲 中图分类号 ： O484．4；TB43 文献标识码 ：A 洗 ，最后放入烘箱在 60℃下烘干备用。 文章编号：1()(]1-9731(2010)04—0687—03 用JGP56OI型磁控溅射仪采用射频磁控溅射工 艺制备不同掺杂 比例的Ta-ZnO薄膜。靶材为掺有不 1 引 言 同质量百分比TaO (0、2 、5 、7 和 10 (质量分 ZnO是一种重要 的透明导 电氧化物 (TCO)薄膜 数))的高纯度 ZnO(99．99 )经高温烧结压制而成 的 光 电材料[ ，然而未掺杂的 ZnO 薄膜 虽然具有较优 陶瓷靶 。主要溅射条件参数 ：本底真空度 9．0×10 异的光学、电学等特性 ，但是这种薄膜在高温条件下稳 Pa；Ar流量 30ml／min；溅射压 强 0．7Pa；基 片温度 定性差l4]。通过用适 当材料和 比例进行掺 杂 以及退火 293K 。 使 ZnO基透 明导 电薄膜具有 良好 的光 电性能和热稳 实验采用 GSL一1300X型真空管式高温炉在空气 定性成为近年来 的热点之一L5]。 中进行退火处理，退火温度分别为 200、300、400和 Ta。O 是一种斜方 晶系结构 的相 当稳 定 的氧化 500℃。在设定 的温度上保温 1h。温度升降率一般 物 ，具有很好的化学稳定性和热稳定性 ，甚至高温下都 1OC／min，以防止基片破裂或者薄膜脱落 。 不被氢还原 ，可见光谱 区内有较高 的折射率和较低 的 2．2 样品的性能测量及表征 吸收率 ，且有较宽 的光谱透过范围(300nm～10t~m)以 薄膜样 品的厚度使用美国 Ambios科技公 司生产 及高介 电常数 (30～35)。从理论上分析 ，Ta在 TaOs 的XP一1型表面轮廓仪测量 ，测量条件如下 ：扫描速度 中以Ta汁的形式存在，其离子半径为6．4×10