掺氮对WO3薄膜电致变色调制性能的影响.pdfVIP

第 25卷第 9期 中国有色金属学报 2015年 9月 Vclume25Number9 TheChineseJournalofNonferrousM etals Sep．2015 文章编号：1004—0609(2015)．09．2471—07 掺氮对WO3薄膜电致变色调制性能的影响 王 伟，李合琴 ，陶 磊，乔 恺，周 矗，张 静，唐 琼，黄依琴，左 敏，李世伟 (合肥工业大学 材料科学与工程学院，合肥 230009) 摘 要：采用反应磁控溅射法在 ITO玻璃上制备氮掺杂氧化钨(wo3：N)薄膜。采用 XRD、XPS、AFM 对薄膜的 结构、成分、结合键和表面形貌进行表征。将 WO3：N 薄膜封装制成电致变色器件，并采用直流稳压电源和分光 光度计对其进行变色调制性能测试。结果表明：制备的WO：N薄膜为纳米晶结构，其衍射峰位随着含N量的增 加而右移；WO3：N薄膜中W、O分别以w。和 O一存在，而N 以中性价态、WO3中的O位替换以及表面吸附3 种状态存在；随着WO：N薄膜中含N量的升高，表面粗糙度逐渐增大，且有利于器件着色；当掺氮2．80％(摩尔 分数1时，电致变色器件调制幅度最大为68．8％，比未掺氮器件的高出7．7％，适用于节能玻璃。 关键词：WO：N薄膜；反应磁控溅射；电致变色器件；节能 中图分类号：TB43 文献标志码：A EffectsofN doping0U electrochromicmodulationpropertiesofW O3thinfilm WANGWei，LIHe—qin，TAOLei，QIAOKai，ZHOUChu，ZHANGJing， TANGQiong，HUANGYi—qin，ZUOMin，LIShi—wei (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HefeiUniversityofTechnology,Hefei230009，China) Abstract：N dopedtungstenoxide(WO3：N)thinfilmswerepreparedonITO coatedglasssubstratebyreactive magnetronsputtering．Thestructure，composition，chemicalbondsandsurfacemorphologyoffilmswerecharacterized byXRD，XPSandAFM，respectively．Furthermore，W O3：N thinfilmswereassembledintoelectrochromicdevices，the modulationpropertieswereinvestigatedbyDC regulatedpowersupplyandspectrophotometer．Theresultsindicatethat W O3：N filmsareinnanocrystallinestructure，whose scaReringpeaksmoverightasN contentincreases．W andO elementsexistinW 。and0 ，respectively,whereas，therearethreechemicalstatesforN element，namely,neutralatom， substiutting0 in W一 0 bond．and absoprtion onto film surfaceduring deposition．W ithN contentofWO3：N film increasing，thefilm surfacegetsrougher,andthiswillbenefitcoloringreactionofthedevice．Thedevicereac