掺锡氧化锌纳米阵列的制备及其结构和光学特性的研究.pdfVIP

助 财 料 2015年增刊I(46)卷 文章编号：1001—973l(2015)增刊 (I)一0044—05 掺锡氧化锌纳米阵列的制备及其结构和光学特性的研究 王 敏 ，隋成华 ，吕 斌，李 芸 (浙江工业大学 理学院，杭州 310023) 摘 要 ： 在旋涂法制成的种子层基底上，用水热法生 磁控溅射法 ¨1等 。而合成纳米阵列结构的难点在于精 长氧化锌 纳米 阵列 (ZNAs)和掺锡 氧化 锌 纳米 阵列 确控制阵列的形貌 。在所有合成途径中，水热法具有 (ZNAS：Sn)。为了研 究掺锡对氧化锌纳米阵列透光 成本低 ，样品纯度高，易于大规模生长等优点口引。氧 性 的影响，用 X射线衍射 (XRD)、扫描 电镜 (SEM)、透 化锌材料中掺入不同的元素能改变其光学、磁学、电学 射谱和椭圆偏振仪 (SE)对样品进行 了表征 ，并结合等 等特性 。掺铟能提高氧化锌材料 中载流子的浓度u 。 效介质模 型(EMA)理论模拟样品光学常数 ，根据太阳 掺钴能使材料光谱发生显著 的红移 。掺锡能制得 能光谱 AM1．5计算透过光的总功率。XRD分析表 明 三元半导体 ZnSnO ，但是 目前为止还没有关于掺 纳米棒垂直于基底沿 (002)晶向生长，SEM 和椭 圆偏 锡氧化锌纳米阵列的报道 。本文在旋涂法生长 的种子 振仪表 明样 品表面形貌 良好 ，制得 的纳米棒直径约 层上 ，利用水热法生长氧化锌纳米阵列 (ZNAs)和掺锡 300nm，长度约1．6 m。透射谱表明zNAs掺锡之后 ， 氧化锌纳米阵列 (ZNAs：Sn)，并研究掺锡对样品透光 在 300～800nm 波段透过率增大。根据 AMI．5计算 性能的影响。 获得在样品厚度相 同的情况下，掺杂 5 的zNAs：Sn 2 实 验 透过光总功率是 ZNAs的 1．6倍 。 关键词 ： 椭圆偏振仪 ；半导体 ；纳米 ；光学特性 2．1 ZnO纳米棒的制备 中图分类号 ： O472 文献标识码 ：A 2．1．1 ZNAs和 ZNAs：Sn的制备 DOI：10．3969／j．issn．1001—9731．2015．增刊 (I)．010 所有 玻 璃 基 片 按 标 准 清 洗 步 骤 清 洗 。将 0．35mol／L醋酸锌 [Zn(CH。COO)。 ·2H2O]溶于 1 引 言 18mL乙二醇 甲醚 ，加入2mL乙醇胺作为稳定剂。溶 氧化锌作为宽带隙n型半导体 (3．37eV)由于其 液 6OIC磁力搅拌 2h形成均一透明的前驱体。旋涂后 良好 的机 电耦合性能以及热化学稳定性被广泛应用于 样品放人高温管式炉 ，在 450℃空气环境退火 1h形 光电器件n]。由于其具有 60meV的激子束缚能，使得 成种子层 。 氧化锌成为最重要 的氧化物半导体之一[2]。目前研 种子层放入高压反应釜 (5omL)中利用水热法生 究已合成氧化锌材料多种结构 ，如薄膜结构 ]、纳米 长纳米阵列 ，水热溶液包含六次甲基 四胺 (CH 。N )、 颗粒 、纳米管 引、纳米线 以及纳米棒…]。氧化锌 醋酸锌 [Zn(CH。COO)。·2H O]和五水 四氯化锡 的特性在很大程度上取决于微观尺寸和形貌 ，与单一 [SnC1 ·5H：O]，水热溶液 的配 比如表 1所示 。将种 的薄膜结构相 比，其它复杂 的结构 已经被广泛研 子层面朝下浸入溶液 ，反应釜于 120。C环境 中放置 2h 究 ]。氧化锌纳米材料可通过多种方法合成 ，如湿化 后取 出样 品。样品