第四章MESFET教程.ppt

* n-MESFET 的 I-V 特性 与MOSFET相比， MESFET最显著的优势是沟道载流子的高迁移率； MESFET结构的缺点则是肖特基栅的存在； 肖特基二极管的开启电压限制了MESFET的正向偏压。 对于GaAs肖特基二极管，这个开启电压的典型值是0.7V。 因此Vds电压必须低于这个开启电压。 从而导致要想制造包含大量增强型MESFET的电路非常的困难。 GaAs MESFETs 在微波电路中有着普遍广泛和重要的应用。 实际上，直到80年代，几乎所有的微波集成电路都是GaAs MESFETs。 仅管有更复杂性能更好的器件出现，但MESFET在微波领域的功放、开关方面仍然占据着主导地位。 microwave spectrum 微波是波长为1～1000毫米的波，按其波长不同分为若干波段： GaAs MESFET 基本材料是GaAs衬底。 缓冲层在GaAs衬底之上外延生成，用来隔绝衬底中的缺陷。 沟道或导电层是一层非常薄的轻掺杂的半导体N型层，外延生长在缓冲层之上。 对于微波晶体管，由于GaAs的电子迁移率几乎是空穴的20倍，因此导电沟道层几乎都是N型层。 基本结构 基本结构 高掺杂的N+层在表面生长，用来形成欧姆接触，在沟道区这一层是被刻蚀掉的。 或者，可以通过离子注入的方法形成源漏的欧姆接触区。 源漏接触区之间，会制造一个整流接触也就是肖特基接触。 典型的欧姆接