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CMOS工艺中的无源器件——IC设计课件.pdf
CMOS工艺中的无源器件
雷鑑铭
华中科技大学电子系
12-14-2004
概要
CMOS工艺中的电阻
CMOS工艺中的电容
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 2
CMOS工艺中常用电阻类型
有源区扩散电阻
+
P 扩散电阻
+
N 扩散电阻
多晶Poly 电阻
普通Poly 电阻
高阻Poly 电阻
N-Well 电阻
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 3
CMOS工艺中常用电阻版图
+
P 扩散电阻
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 4
CMOS工艺中常用电阻版图
+
N 扩散电阻
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 5
CMOS工艺中常用电阻版图
Poly 电阻
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 6
CMOS工艺中常用电阻版图
N-WELL 电阻
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 7
0.8um CMOS工艺中电阻参数比较
电阻类型 方块值 匹配精 温度系数 电压系数
度
+ o
P 扩散电阻 80-150 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 200ppm/V
+ o
N 扩散电阻 50-80 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 200ppm/V
o
Poly 电阻 20-40 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 100ppm/V
1000-1500 Ω/Ɔ o V
高阻Poly 电阻 0.05% 50ppm / C 50ppm /
1000-2000 Ω/Ɔ o V
N 阱电阻 —— 8000ppm / C 10K ppm /
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 8
概要
CMOS工艺中的电阻
CMOS工艺中的电容
2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 9
CMOS工艺中常用电容类型
MOS 电容（有源区-POLY 电容）
POLY-POLY 电
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