AlGaInPLED文献综述.doc

AlGaInP LED亮度提升的研究 LED作为一种光源，衡量它的一个重要指标就是光电的转换效率。在实践中，这种效率就是LED的外量子效率。对于一个LED，它的外量子效率ηex可用（1）式表示。 ηex = ηin·Cex （1） 式中：ηin是内量子效率；Cex是逃逸率。 LED内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距。以（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料作为有源区的LED具有较高的内量子效率，可达90%以上。而目前影响AlGaInP红光LED性能的主要原因是光提取效率低，即有源区辐射复合产生的光无法从器件内部射出，导致传统红光LED的外量子效率只有3%左右。提高发光效率一般有两种途径：一个是增加光提取效率，例如加厚电流扩展层、倒装结构、透明衬底、分布布拉格反射镜、表面粗化、倒金字塔结构；另一个是通过器件物理研究，改变器件结构，增加电子注入效率，同时减少输入载流子的流失和非辐射复合造成的损失。如增加量子阱的数量，高效率低电压共振腔结构，张应力包层用于异质结也是为了减少电子损耗从而提高发光效率。 提高发光效率的方法具体如下： 分布布拉格反射镜 DBR工作原理：当发光区中光入射角θ大于临界值时，在DBR中由高折射率到低折射率传播发生全反射，但由于DBR层厚小于波长，光仍可从底折射率层中泄漏到下一层，发生所谓的受抑全反