第五章_晶体的能带理论讲述教程.ppt

* 谐振子的能量为 ?c=eB/m是回旋频率 谐振子的能量 * （1）平行于磁场方向（z）上，电子作自由运动； （2）垂直于磁场平面（xy平面）内，电子运动量子化，从原来准连续能带变为一系列子能带。 二、电子的能量 自由电子（B=0） 结论： * a.当n一定，电子的能带是一抛物线； b. n=0是最低的次（子）能带； c. n增加，次能带向上移，各能带有一定的交迭； d.由?c=eB/m知，磁场强，次能带间隔大。 （3）次（子）能带： 自由电子在磁场中的能带 n=0 0 E kz B=0 n=1 n=2 n=3 * 三、简并度 不同的x0并不影响谐振子的本征值?，而x0又依赖于波矢分量ky，说明不同的状态是简并态。 设Lx和Ly分别为晶体在x和y方向的尺寸 波矢数目： 简并度（记及自旋）：2Q * kz一定时，Q个波矢状态分布在同一等能面上。不论能量取何值，简并度不变，且与磁感应强度B成正比。 ky kx 无磁场 磁场中电子量子态分布（kz=0） 2 n 1 3 0 ky kx 四、磁场引起波矢空间状态点分布的变化 * 磁场B中电子量子态分布（kz=0） 2 n 1 3 0 ky kx （1）B增强，相邻圆周间隔成比例增大； （2） B增强，圆周上波矢点数量也成比例增大。 磁场2B中电子量子态分布（kz=0） ky 1 0 kx ?c=eB/m * 无磁场时此面积内的波矢数目为 证明： （圆周） 等于施加磁场后等能曲线上的波矢数目。 磁场使波矢空间均匀分布状态点会聚到等能面上 2 n 1 3 0 ky kx * 五、磁场中电子的能态密度 磁场中电子量子态分布（kz=0） 2 n 1 3 0 ky kx 1、磁场对三维自由电子量子态分布的影响 kz (B) 磁场引起量子态聚集到平行于B的圆柱表面 * 第n个次能带在E-E+dE能量区间的量子态数目 任一kz，量子态数2Q重简并，dkz内量子态数 2、第n个次能带的量子态数目 kz (B) dkz 2Q * E—E+dE间总的状态数应是能带底位于E以下所有次能带对应能态的累计 kz kz+dkz E E+dE 电子的能态密度 3、能态密度 自由电子在磁场中的能带 E 0 kz n=0 n=1 n=2 n=3 n=4 * （1）能态密度出现峰值，相邻峰值间能量差??c； （2）能态密度与??c成正比，??c= ?eB/m，增大磁场，能态密度增大； （3）峰数目与磁场近似成反比。（总状态数一定） 0 E kz n=0 n=1 n=2 n=3 4、有关能态密度的讨论 N(E) E 磁场中电子的能态密度曲线 自由电子 ??c E0 * 六、迪?哈斯—范?阿耳芬效应 低温下、强磁场中铋单晶磁化率随磁场的倒数1/B振荡（1930）。 在很多金属材料中都有类似的现象。 电导率、比热等物理量也有类似的振荡现象。 这些现象与金属费米面附近电子在强磁场中的行为有关，因而是研究费米面的有力工具。 1、概述 * 磁感应强度增加dB，磁场对电子作功 （1）磁化率随1/B作振荡是电子的内能U随磁场振荡的反映 2、原理 问题： 电子内能为什么随磁场振荡？ * B=0时：费米能级EF以下的状态均被电子均匀填满。 （2） T=0 K时，磁场引起电子状态的变化 状态分布在0，1，?，n子能带被费米面切取的共轴圆柱面上。 B?0且满足： EF kF * （3） 磁场变化引起电子状态分布和内能的变化 2 n 1 0 ky kx B2 B1，U2U1 ky 2 n 1 0 kx B3 B2， U3U2 磁场变化引起电子量子态分布的变化和内能的变化 2 n 1 3 0 ky kx B1，U1 EF kr * （2）磁场增加，使第n个子能带的临界能量 原来填充第n个子能带的电子现在全部落入第n-1及其之下各子能带中，电子体系总能量E减少。 （3）然后随磁场增加，总能量又上升直到 总能量又下降? （1）随着磁场增加子能带的能量和状态数都相应地增加，能量间隔?c也增加，而总电子数不变，电子将在各个子能带中重新分配。 * 设相邻两极值对应的磁感应强度分别为Bn和Bn+1 两1/B间距等于e?/mEF，磁化率曲线就多一极值。 总能量以?(1/B)周期随1/B变化，体系的磁矩和磁化率都随1/B作振荡。 （4） 电子总能量随磁场的变化周期 * 应用—费米面的测定 A为费米面垂直于B的极大或极小截面面积。 原则上，改变磁场的方向，测出振荡周期就可以得到垂直于该方向费米面的A；根据不同方向的A就可决定费米面的形状。 * 磁场沿111方向时银的迪?哈斯—范?阿耳芬效应 面心立方结构 两个周期对应的极值轨道：“肚子”轨道，周期小；“脖子”轨道，周期大 * §5.11 导体 半导体和绝缘体 固体都包含大量电子，但有的具有很好的电子导电