亥姆赫兹实验报告概要1.docVIP

实验项目名称 亥姆霍兹线圈磁场 实验目的 1.掌握霍尔效应原理测量磁场。 2.测量单匝载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。 实验原理 1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的的磁场 （1）载流圆线圈磁场 根据比奥-萨伐尔定律，载流圆线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点磁场强度B为 式中为真空磁导率，R为线圈的平均半径,为线圈的匝数,I为通过线圈的电流,x为轴线上某点到圆心O的距离。因此它在轴线上磁场分布如图25-1所示. 图25-1 （2）亥姆霍兹线圈 所谓亥姆霍兹线圈是两个相同的圆线圈，彼此平行且共轴，通以同方向电流I,理论计算证明:当线圈见距a等于线圈半径时,两线圈合磁场在轴线上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，如图25-2所示，这种均匀磁场在工程运用和科学实验中应用十分广泛。 图25-2 霍尔效应法测磁场 霍尔效应法测量原理 将通有电流I的导体置于磁场中，且在垂直于电流I与磁场B方向上将产生一个附加电势差，这现象是霍尔1879年首次发现，故称霍尔效应。电势差等于霍尔电压。 n型半导体，若导体内电流I沿x轴方向流动(有速度为v运动的电子），此时在z轴方向加上强度为B的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力的作用而偏移、聚集在S平面；同时随着电子向S平面偏移和聚集，在p平面出现等量的正电荷，结果S、P平面之间出现一个电场（此电场称之为霍尔电场）。 这个电场反过来阻止电子继续向S平面偏移。当电子受到的洛伦磁力和霍尔电场的反作用力达到平衡时，就不能向S面偏移。在此时S、P平面间形成一个稳定的电压（霍尔电压）。 （2）霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压 设材料的长度为l,宽度为b,厚度为d，载流子浓度为n，载流子速度为v，它们与通过材料的电流I有如下关系 霍尔电压 式中霍尔系数，?单位为;霍尔灵敏度，单位为.由此可见，当I为常量时，有,通过测量霍尔电压可以计算出未知磁场强度B。 本实验使用霍尔效应法测量磁场，并且本实验使用的仪器用集成霍尔元，已经与显示模块联调，直接显示磁场强度。 实验仪器 4501A型亥姆霍兹线圈磁场实验仪 实验内容及步骤 1.测量圆电流线圈轴线上磁场的分布 （1）仪器使用前，请先开机预热五分钟接好电路，调零。 （2）调节磁场实验仪的输出功率，使励磁电流有效值为I＝200mA，以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔10.0mm测量一个 测量过程中注意保持励磁电流值不变，记录数据并作出磁场分布曲线图。 2.测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场的分布 （1）关掉电源，把磁场实验仪的两组线圈串联起来，（注意极性不要接反接反）接到磁场测量仪的输出端钮，调零。 （2）调节磁场测量仪的输出功率，使励磁电流有效值仍为I=200mA。以两个线圈轴线的中心点为坐标原点，每个10.0mm测量一个值，记录数据并做出磁场分布曲线图。 数据记录及处理（包括数据表格、数据计算、画图等） 位置/mm -110 -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 测量值/mT 0.383 0.441 0.500 0.558 0.612 0.654 0.692 0.716 位置/mm -30 -20 -10 0 10 20 30 40 测量值/mT 0.732 0.739 0.743 0.744 0.743 0.743 0.732 0.719 位置/mm 50 60 70 80 90 100 110 测量值/mT 0.698 0.656 0.612 0.560 0.503 0.442 0.383 双线圈磁场分布（I=200mA） 横坐标：位置/mm 纵坐标：磁场大小的测量值/mT 单线圈磁场分布（I=200mA) 某点磁感应强度B的理论值为：，x=X-50 位置/mm -10 0 10 20 30 40 50 理论值/mT 0.392 0.440 0.488 0.532 0.567 0.590 0.598 测量值/mT 0.370 0.414 0.460 0.498 0.534 0.556 0.564 误差/mT -0.022 -0.026 -0.028 -0.034 -0.033 -0.034 -0.034 位置/mm 60 70 80 90 100 110 理论值/mT 0.590 0.567 0.532 0.488 0.440 0.392 测量值/mT 0.558 0.537 0.505 0.466 0.420 0.376 误差/mT