Bi_1_2_Na_1_2_Ti_省略_电陶瓷制备工艺优化与其结构分析_杨晓冬.pdfVIP

　第 3期 晓冬等:Bi Na TiO B aTiO 系无铅压电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析 /2 /2 3 3 73 电损耗显著下降, 压电性能相对提高, 显著提高了 BNBT体系陶瓷的介电、压电性能。 3　(-x )(Bi Na )TiO-xBaTiO 的结构分析 /2 /2 3 3 3. 　室温下 BNBT的MPB 由上述结果可见, BT 的摩尔分数是影响 BNBT 陶瓷压电性能和介电性能的主要因素, 而材料的宏 观性能必定与其微观结构密切相关。在室温下, [8] NBT属于三方晶系 , 由于 BaTiO 晶体在室温下属 3 四方晶系(c /a = .02), 随着 BaTiO 摩尔分数的增 3 a—x =0;b—x =0. 02;c— x =0. 04;d—x =0.