一种沟槽型场限环vdmosfet终端结构 - 微电子学.pdf

第 卷第 期 微 电 子 学 , 46 1 Vol.46 No.1 年 月 2016 2 Microelectronics Feb.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 ·半导体器件与工艺· 一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构 , 石存明 冯全源 ( , ) 西南交通大学 微电子研究所 成都 611756 : , 摘 要 场限环结构以其简单的工艺和较高的效率 在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端 , 。 , 结构中得到广泛应用 但其性能的提高也有限制 沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高 并未在实 。 , 际生产中得到大量应用 将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合 设计了一种沟槽型场限环终 , 。 , 端 在 149.7 m的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压 此结构可以得到较大的结深 μ , / , 。 , 硅体内部高电场区距离表面较远 硅表面电场仅为1.83E5V cm 具有较高的可靠性 同时 工艺 , 。 中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入 没有增加额外的掩膜 : ; ; 关键词 场限环 沟槽终端 击穿电压 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386 A 1004-3365201601-0132-04 ATrenchFieldLimitRin VDMOSFETTerminationStructure g , SHICunmin FENGQuanuan g y ( , , , ) Instituteo Microelectronics SouthwestJiaoton Universit Chendu611756 P.R.China f g y g Abstract: ( ) Fieldlimitrin FLR isrelativelmoreefficientandcanbeachievedb sim le rocesstechnolo .So