模拟电子技术教材六.docVIP

第三节 双极型晶体管 双极型晶体管也称为双极型三极管，简称晶体三极管或三极管，是一种重要的半导体器件。三极管的种类很多，按照材料可以分为硅管和锗管；按照结构可以分为NPN和PNP两种类型；按照功率可以分为大、中、小功率管等。????一、三极管的结构、符号及分类 ????三极管的结构示意图如图1-16所示。由图可见，三极管内部有三个区，分别称为发射区、基区和集电区。由三个区各引出一个电极，分别称为发射极e、基极b和集电极c。发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。三极管在内部结构上具有发射区掺杂浓度高、基区很薄而且浓度低、集电结面积大的特点，这些特点是保证三极管具有电流放大作用的内部条件。 ????三极管的电路符号如图1-17所示，图中箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向，箭头向外的是NPN型管，发射极箭头向里的是PNP型管。 ????图1-18所示为几种三极管的外形及管脚排列。三极管一般为三个管脚，但大功率管（如图1.3-3所示）一般以管壳兼作集电极；而工作频率较高的小功率管，除了e、b、c电极外，管壳还有供屏蔽接地用的引线，用d表示。????二、三极管的电流放大作用 ????三极管要实现放大作用，除了具备上述的内部条件外，还必须有适当的外部条件，这就是要求外加电压保证发射结正向偏置，集电结反向偏置。也可用三极管的三个电极的电位关系来表示，对于NPN型管必须满足：UCUBUE；对于PNP型管必须满足：UEUBUC。外加电源与三极管的连接方式如图1-19所示。 ????下面以NPN型三极管为例来分析三极管的电流放大作用，其计算机仿真实验电路如图1-20所示。在这个电路中，由基极电源V1、基极电阻R1和三极管发射结组成的回路叫输入回路；由集电极电源V2 、集电极电阻R2和三极管集电极、发射极电路组成的回路叫输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称为共发射极电路。共发射极电路是实际应用中最为常见的电路。 ????实验结果如表1.1所示。????根据仿真实验结果可知：????（1）无论电阻R1和R2为何值，总有： ????（1-1） ????（2）改变基极电阻R1的值，三极管各极电流随之改变，但在一定的范围内，集电极电流IC与基极电流IB的比值几乎保持不变，我们将这个比值称为三极管的直流电流放大系数，用字母 ????表示，即： （1-2） ????三极管在制成后， 也就确定了，其值远大于1。????（3）当基极电流有微小的变化时，集电极电流将发生较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。我们将集电极电流的变化量与基极电流变化量的比值称为交流电流放大系数，用字母β表示，即： （1-3） ????显然， 和β的意义是不同的。前者反映的是静态（直流工作状态）时集电极电流与基极电流之比，而后者反映的是动态（交流工作状态）时三极管的电流放大特性。但在实际应用中，在工作电流不太大的情况下， ，故可将两者混用而不再加以区分。????（4）当基极开路，IB=0时，集电极有一个小于1 uA的电流流向发射极，这个电流称为穿透电流，用ICEO表示。ICEO随温度升高而增大，是衡量三极管温度稳定性的重要参数，其值越小，三极管的工作越稳定。????若发射极开路，则集电极有一流向基极的反向电流，称集电结反向饱和电流ICBO。温度升高时，ICBO急剧增大，温度每升高10，ICBO增大一倍。选管时应选ICBO小且ICBO受温度影响小的三极管。在室温下，小功率硅管的ICBO小于1μA,锗管约为微安到几十微安。????三、三极管的特性曲线 ????三极管的特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，通常用输入特性曲线和输出特性曲线来表示。特性曲线可由晶体管特性图示仪直接显示，也可通过实验电路测试得出。因为三极管的共射接法应用最广，故以NPN管共射接法为例来分析三极管的特性曲线，测试电路如图1-21所示。 ????1．输入特性曲线 输入特性曲线是指当三极管集电极-发射极之间的电压UCE一定时，输入回路中基极电流IB与基极-发射极之间电压UBE之间的关系曲线，即（1-4）????由实验测得的NPN型硅三极管的输入特性曲线如图1-22所示。由图可见，曲线形状与二极管的正向特性曲线相似，但它与UCE有关。当UCE增大时，曲线右移。由于实际应用中UCE一般大于1V，因此由UCE＞１V的曲线可以看出，硅三极管输入特性的死区电压约为0.5V，正常工作时管压降UBE约为0.6~0.8V，通常取0.7V，称之为导通电压UBE（on）。对于锗管，死区电压约为0.1 ????V，正常工作时管压降UBE约为0.2~0.3V，导通电压常取0.2V。????2．输出特性曲线 输出特性是指三极管基极电流I