微系统封装技术第八讲金属封装与薄膜封装.ppt

第八讲：金属封装与薄膜封装 金属封装是气密性最好的封装形式 金属封装外壳分为：管座和管帽 材料：可伐(铁钴镍合金),10#钢,表面要镀镍、金等 管座制作工艺： 玻璃绝缘子：制成玻璃粉末，干压成型。 管座与管帽：冲压成型，较厚较大的外形采用铣削价格。 管座与引线热氧化：在与玻璃绝缘子接触部分形成氧化物。温度1100℃，受控气氛。 烧结：将管座、绝缘子、引线通过模具安装在一起，放进链式炉中进行烧结。 电镀：电镀镍、金等。 管帽制作工艺： 管帽冲压成型 管帽电镀：电镀镍、金等。 平行缝焊： 激光和电子束焊接 薄膜是指厚度的典型值在30微米以下的一种涂层。 半导体工艺向高集成度方向发展趋势使得封装从厚膜封装转向薄膜封装 Rent定律： P＝BNs N是芯片上或其他部分的逻辑门数；p是它必须连接的信号端子数，B和s是常数。通常s在1/2~2/3之间变化，系数B在2～4之间变化。 当芯片I/O数达到600个以上时，焊盘宽度及其间隙会小于25um，就必须采用以光刻技术为特征的薄膜封装。 集成度的提高对厚膜技术提出了更高的要求。层与层之间的通孔很长，具有较高的引线电感、电阻和电容。引脚密度不断提高，增加了厚膜技术封装芯片的难度。从而要求薄膜封装。 但薄膜封装所采用的材料和结构受电性能控制： 1.点到点的传输（包括速率、衰减、失真） 2.噪声容量（包括耦合、屏蔽） 3.阻抗（包括匹配终端、电阻） 在高速系统中，传输线的特性特别重要，这种系统中的短脉冲要求高频线阻抗和负载阻抗相匹配，以防止反射脉冲（如噪声）的出现。 多层薄膜结构： 平面叠积柱： 非平面的交错孔： Mw：网格宽度 ， Sw：信号线宽，T：金属层厚度，D：介质层厚度。 共烧陶瓷和硅片是最常用的基板 薄膜封装工艺如下： 在基板上淀积介质层 在介质层上形成通孔 金属淀积 金属布图 焊盘或终端金属淀积 介质材料：聚酰亚胺、BCB等 要求： 介电常数要低于4 和基板的热膨胀系数要匹配 热稳定性要好 与铜或其它导体粘附性要好 平面结构工艺性好 吸水性低 金属材料：铜、铝等 要求： 导热导电性好 易于平面加工 与介质材料粘接性好 较小的通孔尺寸和较高的对准要求基本决定了所选择的方法 MCM-D基板可获得非常高的布线密度，是由于基板具有布精细线条和在聚合物介质层上精确定位通孔的能力。 可对四种通孔形成工艺进行比较： 1.通孔的深孔比 2.通孔的侧壁图形 3.加工技术的实用性 扫描激光剥离（SLA）：空气中加工，与在线基板加工工艺兼容，厚的金属掩膜。 投射激光剥离： 金属化工艺： 最常用的金属化工艺是溅射铝，希望采用低阻的铜。但由于裸铜和聚酰胺酸间的反应一方面会导致铜扩散进入介质层中，同时还会使铜和聚酰亚胺间的粘接性能变低。必须采用阻挡层金属，如Cr、Ti和Ni，使工艺更复杂。 可靠性：