微系统封装技术第三讲载带自动焊.ppt

第三讲：载带自动焊（Tape Automated Bonding 简称TAB） TAB和WB（Wire Bonding）相比的优点： 1.结构轻、薄、短、小，封装高度不足1mm 2.电极尺寸、电极与焊区节距比引线键合大为减小 3.引线电阻、电容和电感小 4.方便芯片测试 5.TAB采用Cu箔引线，导热和导电性能好，机械强度高 6.引线键合的强度一般为0.05～0.1N/点，TAB比引线键合高3～10倍，0.3～0.5 N/点，从而提高可靠性 7.易于大规模自动化生产。 单层载带：Cu的厚度35～70μm，另外，铝、钢、42合金也可作为基体材料。特点是成本低，制作工艺简单，耐热性能好，不能筛选和测试芯片。 双层载带：聚酰亚胺液体薄膜（12 μm ）涂覆在35 μm厚的铜箔上或者依次溅射铬和铜到厚度为50～75 μm的聚酰亚胺膜上。特点是可弯曲，成本较低，设计自由灵活，可制作高精度图形，能筛选和测试芯片，带宽为35mm时尺寸稳定性差。 三层载带：铜箔（厚度18～75 μm ），粘接剂（厚度18 μm 左右）和聚酰亚胺（厚度75～125 μm ）构成。特点是Cu箔与PI粘接性能好，可制作高精度图形，可转绕，适于批量生产，能筛选和测试芯片，制作工艺较复杂，成本较高。 基带材料： 要求高温性能好，与Cu箔的粘接性好，热匹配性能好，收缩率小且尺寸稳定，抗化学腐蚀性强，机械强度高。吸水率低。聚酰亚胺（PI） 金属材料： 一般采用Cu箔，因为Cu的导电导热性能好，强度高，延展性好，与各种基带粘接牢固，易于加工精细复杂引线图形，又易于电镀Au、Ni、Pb-Sn等易焊接金属。 凸点的金属材料： UBM： Under Bump Metalization 凸点下金属化 电镀后一般要退火（200oC）：消除电镀中因吸H2而造成的应力，可避免Sn须的生长。 双层不采用减法工艺。因为PI固化后会收缩，导致尺寸精度和粘接强度问题 形成凸点的目的： 1.为不同的芯片连接工艺提供合适的焊接材料 2.提供托脚以防止引线指与芯片边缘短路 3.焊点起形变缓冲作用。 分：带凸点的载带和带凸点的芯片两种。 形状分为：蘑菇状和柱状凸点。 凸点高度：通常20～30微米。 成分： Au、 Ni、Cu 带凸点的载带： 转移凸点的载带： 组合键合、单点键合 热压焊、热声焊、共晶/焊料/热气焊、激光焊、激光超声焊 热压焊：主要键合参数为温度压力和键合时间。 组合键合通常采用恒温加热和脉冲加热法。恒温加热体采用低热胀合金：铁钴镍合金、不锈钢/钨合金、金刚石、立方氮化硼。 脉冲加热体：钼或钛刀口 要求环氧树脂的粘度低，流动性好，应力小且氯离子和α粒子含量小。