专题六： 图像信息的光电检测技术.pdf

图像信息的光电检测技术 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.1 图像传感器 固体图像传感器主要有： 1、CCD （电荷耦合器件） 2、CMOS：近年来由于CMOS技术的迅速发展，新 型 的CMOS图像传感器可以把光电敏感元件和外 围电路以及信号处理路 集成在一块基片上，实 现所谓单片摄像机。 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.1 基本概念 CCD图像传感器 1、光电转换 2、电荷的存储 3、电荷的转移 4. 电荷的检测 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 通过周期地改变电极电压，就可顺序改变势阱的 位置，从而使载流子沿特定方向传播。由此可见， 它不仅有存贮信号能力而且有传输信号的能力。 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD MOS的电荷存储 1、在栅极G施加电压V 之前p型半导体中空穴（多数 G 载流子）的分布是均匀的，如图（a）。 2、V ＞V ＞0的耗尽状态：p型半导体中的空穴将开 th G 始被排斥，并在半导体中产生耗尽区，如图（b）。 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 3、V ＞V ＞0的反型状态：电压继续加，耗尽区 G th 将继续向半导体体内延伸，如图（c）所示。V 大 G 于Vth后，表面由p型变为n型，这种情况称为反型 状态。耗尽区的深度与V 成正比。 G 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 三、CCD传输原理 外加在栅极上的电压愈高，表面势越高势阱越深； 若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而 线性下降。利用这一特性，分析图中四个彼此紧密排 列的MOS电容结构，当栅极上加不同大小电压时，可 知势阱及阱内的信号电荷是如何传输的。 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD CCD信号电荷的传输是通过控制各像素上的电极 电压，使势阱内的信号电荷在半导体表面或体内作 定向运动，从而实现信号的转移。 最常见的是三相和二相系统。 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 三相CCD电荷传输原理 2014/6/2 International Photonics Laboratory 1.2 电荷耦合器件CCD 四、信号电荷的注入和输出 在CCD中，电荷注入方式可分为光注入和电注入。 光注入：当光从一