表面粗糙化来提高sio2 中纳米硅的拉曼强度 - 中国科学g辑.pdf

中国科学: 物理学 力学 天文学 2011 年 第41 卷 第7 期: 845 ~ 849 SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS 论 文 表面粗糙化来提高SiO2 中纳米硅的拉曼强度 ① ② ① ① ①* ③ 张有为 , 毕大炜 , 公祥南 , 边惠 , 万里 , 唐东升 ①浙江温州大学物理与电子信息工程学院, 温州325035; ②信息功能材料国家重点实验室(上海微系统与信息技术研究所), 上海200050; ③低维量子结构与调控教育部重点实验室(湖南师范大学), 湖南410081 *联系人, E-mail: lwan@ 收稿日期: 2010-11-29; 接收日期: 2010-12-14 国家自然科学基金(批准号: 和低维量子结构与调控教育部重点实验室(湖南师范大学)开放课题基金资助(编号: QSQC1008) 资助项目 摘要 本文采用表面粗糙化的方法, 在拉曼背散射配置下观察到SiO2 中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射 特征峰. 运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合, 得到纳米硅的平均晶粒尺寸是 2.6 nm. 这个结 果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合. 以上研究表明, 表面粗糙化是一个非常有效的方法来 提高拉曼散射强度, 从而方便地研究纳米硅的拉曼特征, 不会对纳米硅的物理性质发生影响. 关键词 纳米硅, 拉曼散射, 声子限制 PACS: 78.67.Bf, 61.46.-w, 78.30.-j, 63.22.Kn 1 纳米硅研究背景 得到很大提升, 已广泛用于纳米硅薄膜太阳能电池[3] [4] 和硅基发光器件 的研究. 镶嵌在SiO2 中的纳米硅与 纳米硅由于尺寸效应、表面效应等量子现象而具 现代硅平面技术完全兼容、工艺成熟而具有强烈的应 有许多不同于体硅的独特光学、电学特性, 可以应用 [5] 用前景, 受到广泛关注 . 在量子点存储器、太阳能电池、硅基发光器件等领域. 拉曼散射技术是一种非接触、非破坏性的测试技 硅基量子点存储器是利用纳米硅的量子限制效应和 术, 常用来研究纳米材料的微结构. 但用离子注入到 库伦阻塞效应, 通过调节栅极偏压就能很好控制电 热氧化的 SiO2 层中制备纳米硅的纳米硅浓度很低并 子以直接隧穿方式进出纳米硅, 完成纳米硅的充放 [1] 且衬底硅的拉曼信号无法消除, 因此, 在通常的背散 电从而使阀值电压改变, 实现数据的存贮 . 因为纳 [6] 米硅在室温显示出电子效应[2],