GaN基金属一半导体一金属探测器.PDF

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement CHlNESEJOURNALoF 2007年9月 SEMlCONDUCTORS Sep。,2007 GaN基金属一半导体一金属探测器 刘文宝’ 孙 苋 王小兰 张 爽 刘宗顺 赵德刚 杨 辉 (孛溺辩学貔半警侮璎究辑，憩窳100083) 电极形成金属．半鼯俸一金属(MSM)结构的探测器。对搽测器暗电漉进行了测试分辑，发瑷在大电压≯老化以后嚷 电流减小，夺毫聪下出现毫流及向，经自光照射螽髭够恢复．光谱响应溺量中发现带骧内368nm憝有毙电导性质鹣 异常峰值响应，808nm的激光对其有明显的淬灭作用，并根据陷阱模型对这些现象做出了解释． 关键溺：GaN)MSM搽溺器；凑电流；必谱嚷瘟；黧爨模型 PACC：7220J；7240；7340 中图分类号：TN364 文献标识码：A 文章编号：0253·4177(2007)SO．0588·03 点．熬个器件的缩梅如圈l所示． 1 引言 叉指电极 GaN毒手瓣具霄宽的直接带隙、骞的热导率、纯 学稳定性好、高的击穿电场、高电子饱和迁移速度等 性质和强的抗辐照能力，在微电子器件和光电子器 馋方面都套着广耀瓣应震蔫最鞋】。尤其在紫努探浏 器领域，GaN更是由于其优庭的性能而备受关注． 目前世界上许多国家已经研制出多种结构的GaN 图I MSM型掇测器的结构示意匮 基紫外撵溅器，如光电导型嘲、P．n结型[3]、单嵩特 Schematicstructureof detec— Fig。1 MSM-typephoto 基型“]，以及金属．举导薅．金属(MSM)型[5]等．其中 tor MSM型Elj于其制作工艺简单，响应度大，响应速度 快，平夏器件结构爨集成等优点雨受到更多的重 视嘲． · 表．光谱畹应测试系统使瘸的光源为150W氤灯，光 本文介绍了GaN基MSM型探测器制作及其 经过单色仪分光后再通过斩波器调制，然后照射到 测试．对MSM型探测器表现出的两个重要问题 探测器上．而探测器与一个取样电阻串联，和钤加直 ——小电蹑下暗电流反蠢稳毙响应的淬灭行隽进行 流电源一起构成回路。这样霜镆福放大器溅褥取样 了分析． 电阻上的交流同步电压信号实际上就是探测器的响 应． 2 实验 3结果与讨论 实验中使用的样品是在蓝宝石(0001)衬底上采 尾低压MOCVD方法生长的鼍§数意掺杂的六方裰 在善先迸行懿暗电滚测试孛，嚣为MSM型结 GaN．其生长过程是；使用三甲基镓、高纯氨气、氢气 构实际上是两个背靠背串联的肖特基结，外加偏压 时总是一个结为正向偏置另一个结为反向偏置，所 分别作为Ga源、N源和载气，首先在550℃下生长 以正反向暗电流显示了较好的对称性。在100V镳 一层低激GaN缓i巾层，随后