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12）发明专利 - Questel
(19）中华人民共和国国家知识产权局 艺
(12）发明专利
刊p (10）授权公告号CIN 104584143 B
(45）授权公告日2016. 08. 17
(21）申请号 201380044015.1 (74）专利代理机构北京金信知识产权代现有限
公司 11225
(22）申请日 2013.08.30
代理人朱梅 徐琳
(30）优先权数据
(51）一n七CL
10-2012--0096493 2012.08.31 KR
H01B 5/1军（2006 .01 )
(85) PCT国际申请进入国家阶段日
H01B 13/00(2006.01)
2015.02 .16
G06F 3/041(2006.01)
(86)PCT国际申请的申请数据
审查员苑光辉
PCT/KR2013/007858 2013.08.30
(87)PCT国际申请的公布数据
w 02014/035197 KU 2014.03.06
(73）专利权人LG化学株式会社
地址韩国首尔
(72)发明人林振炯 金秀珍 金起焕
权利要求书4页 说明书26页 附图15页
(54）发明名称
导电结构和制造该导电结构的方法
(57）摘要 选蛊鑫
本发明涉及→种包括基板、导电层和暗化层
的导电结构体，以及制造该导电结构体的方法O 窟00
所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率
辈 U难
的情况下，防止导电层造成的反射，通过提高吸
光率而改善导电层的隐藏性n 因此，所述导电结
构体可以用于开发具有史高可见性的显示面板n
工
z 一 一 又 ＜ 妥 一 对 鱿
匕
CN 104584143 B 权 利 要 求 书 U4 页
L一种导电结构体，包括：
基板：
导电层；以及
喑化层，其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2:
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