mf (i) s 结构设计对硅基铁电薄膜系统c - v 特性的 - 无机材料学报.pdf

第 14 卷 　第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol . 14 , No . 4 1999 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 1999 ( ) MF I S 结构设计对硅基铁电薄膜系统 C - V 特性的影响 于 　军 　　董晓敏 　　赵建洪 周文利 　　谢基凡 　　郑远开 　　刘 　刚 ( 华中理工大学电子科学与技术系 　武汉 　430074) 摘 　　　要 ( ) ( ) 　为制备符合铁电场效应晶体管 FFET 及铁电存储二极管 FMD 要求的高质量铁电薄膜 , ( ) ( ) 采用 PLD Pulsed Laser Deposition 工艺 , 制备了不同MF I S 结构的硅基铁电薄膜系统 由 C - V 特性的对比分析可见 , 影响 C - V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外 , 还有薄膜的结 构设计 在此基础上 , 为改善铁电薄膜的 C - V 特性提出了合理设想 关 键 词 　铁电薄膜 , C - V 特性 , PLD 法 分 类 号 　TN 304 1 　 引言 在非易失性铁 电薄膜存储器领域 , 具有钙钛矿型结构的铁 电材料 Pb ( Zr Ti ) O x 1 - x 3 (PZT) 、Bi Ti O (BIT) 、PbTiO 、SrTiO 和 Pb La (Zr Ti ) O ( PLZT) 等得到了广泛应 4 3 12 3 3 x 1 - x y 1 - y 3 用[ 1～5 ] 采用这些材料制得的铁电薄膜系统 , 由于具有独特的存储特性 、优良的介电特性和高 速的开关特性 , 而实现了对传统存储器的革新 ; 然而高速非易失性铁电薄膜存储器商业化的 实现存在着如下主要障碍 : 极化疲劳 、保持力 、退极化 以及 由此而引起的记忆失败等 问 题[6 ,7 ] , 这些问题直接与铁电薄膜系统的 C - V 特性密切相关 因此我们力图从 C - V 特性入 手 , 以期对上述问题作以探讨 2 　实验 ( ) ( ( ) ) MF I S 结构铁电薄膜系统 即MetalFerroelectric Insulator Semiconductor 的结构设 计和制备工艺对薄膜系统的电特性有着极为深刻的影响 本实验是在激光技术国家重点实验 室进行 , 采用德国Lambda Physik 公司的 EMG201MSC 型准分子激光器 , 工作气体为 XeCl , 其 输出激光波长为 308nm , 脉