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mf (i) s 结构设计对硅基铁电薄膜系统c - v 特性的 - 无机材料学报
第 14 卷 第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol . 14 , No . 4
1999 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 1999
( )
MF I S 结构设计对硅基铁电薄膜系统 C - V 特性的影响
于 军 董晓敏 赵建洪
周文利 谢基凡 郑远开 刘 刚
( 华中理工大学电子科学与技术系 武汉 430074)
摘 要
( ) ( )
为制备符合铁电场效应晶体管 FFET 及铁电存储二极管 FMD 要求的高质量铁电薄膜 ,
( ) ( )
采用 PLD Pulsed Laser Deposition 工艺 , 制备了不同MF I S 结构的硅基铁电薄膜系统 由 C - V
特性的对比分析可见 , 影响 C - V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外 , 还有薄膜的结
构设计 在此基础上 , 为改善铁电薄膜的 C - V 特性提出了合理设想
关 键 词 铁电薄膜 , C - V 特性 , PLD 法
分 类 号 TN 304
1 引言
在非易失性铁 电薄膜存储器领域 , 具有钙钛矿型结构的铁 电材料 Pb ( Zr Ti ) O
x 1 - x 3
(PZT) 、Bi Ti O (BIT) 、PbTiO 、SrTiO 和 Pb La (Zr Ti ) O ( PLZT) 等得到了广泛应
4 3 12 3 3 x 1 - x y 1 - y 3
用[ 1~5 ] 采用这些材料制得的铁电薄膜系统 , 由于具有独特的存储特性 、优良的介电特性和高
速的开关特性 , 而实现了对传统存储器的革新 ; 然而高速非易失性铁电薄膜存储器商业化的
实现存在着如下主要障碍 : 极化疲劳 、保持力 、退极化 以及 由此而引起的记忆失败等 问
题[6 ,7 ] , 这些问题直接与铁电薄膜系统的 C - V 特性密切相关 因此我们力图从 C - V 特性入
手 , 以期对上述问题作以探讨
2 实验
( ) ( ( ) )
MF I S 结构铁电薄膜系统 即MetalFerroelectric Insulator Semiconductor 的结构设
计和制备工艺对薄膜系统的电特性有着极为深刻的影响 本实验是在激光技术国家重点实验
室进行 , 采用德国Lambda Physik 公司的 EMG201MSC 型准分子激光器 , 工作气体为 XeCl , 其
输出激光波长为 308nm , 脉
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