第二十四讲si表面和金属－氧化物－半导体结构（续） 内容： 阅读作业.pdf

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo Si 第二十四讲 表面和金属－氧化物－半导体结构 （续 10月30 ，2002 内容： 1. MOS结构的动态特性 阅读作业 del Alamo Ch. 8 §8.4 8.4.1 8.4.2 ， （ － 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  对MOS结构的电容－电压特性如何看待？  MOS C V 一个 结构的 － 特性是如何取决于反型层在小信号的频率？  MOS C V 如果在一个 结构上的偏压突然的改变，那么 － 特性会发生什么？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. MOS结构的动态特性  MOS结构看起来并且表现的像一个电容  C-V特性总结了MOS 的复杂行为  C-V特性：对广泛应用的强有力的诊断的工具 要研究的三个主要问题：  偏压的影响  小信号频率的影响 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  在快速变化条件下的动态行为 □ 首先量化讨论： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 电容的一般定义： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 经过一些代数运算后： C 而 S 定义为： C 0 注意： S 简单的物理解释： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 准静态C-V特性 如果交流电压信号的频率足够低：准静态条件 采用泊松－玻尔兹曼方程： 那么：