钴纳米线阵列的制备和磁性 - 南京工业大学学报（自然科学版）.pdfVIP

第22 卷第 6 期 　　　　　　　　　　　南　京　化　工　大　学　学　报　　　　　　　　　　　V ol.22 N o.6 2000 年11 月 　　　JO U RN AL O F NA NJ IN G U N IV ERSI T Y OF CHEM ICA L T ECHNO LOG Y 　　　Nov .2000 钴纳米线阵列的制备和磁性 于冬亮　杨绍光　朱　浩　都有为 (南京大学物理系, 固 微结构国家重点实验室, 南京, 210093 ) 摘　要:在具有纳米孔洞的氧化铝模板上, 用电化学的方法制备了钴纳米线有序阵列, 磁性测量显示易磁化方向平 10 2 行于纳米线, 矫顽力较块材有很大提高, 可作为垂直磁存储介质, 理想的存储密度高达2.6×10 /cm 。 关键词:AAO 　纳米线　纳米有序磁盘 　垂直磁存储 中图分类号:O 4 88 　　　　　文献标识码:A 　　　　文章编号:1007-7537 (2000)06-0069-0 3 　　传统磁存储介质大多是在非磁性材料上面有一 线阵列具有极高的垂直磁各向异性, 可望成为高密 层连续的磁性薄膜, 薄膜是由很多小的多晶微粒组 度有序磁存储介质。 成, 这些微粒的尺寸分布较宽, 晶 取向是随机分 布的。磁化前晶粒的磁场方向也是随机分布的。 1　样品的制备与测量 当外磁场对磁存储介质进行一次写操作, 使对应的 微小区域磁化, 记录下磁信号。两个相邻记录单元 [4] 通过二步阳极氧化制备氧化铝模板 。在阳 之间的宽度要大于磁畴厚度, 使磁存储密度受到了 极氧化前将高纯(99.999%以上)铝片在空气中 很大的限制, 使用离散磁存储材料可以克服这一缺 500 ℃退火5 h 备用, 配制0 .4 mol/L 的H SO 电 2 4 点。另外, 有序磁存储介质替代无序磁存储介质, 解液。第一步将铝片用电解液进行阳极氧化10 h , 在很多方面可以优化存储能力, 将使存储密度得到 阳极氧化的电压是25 V, 温度为0 ℃。用含60 g/L [ 1] 很大提高 。有序磁存储介质是将不连续的单个 的H PO 和 18 g/L 的H CrO 清洗液, 在 60 ℃下 3 4 2 4 磁 有序地分散在非磁性介质中, 这些小磁 规格 清洗样品10 h , 然后进行第二次阳极氧化, 条件与 统一, 尺寸微小, 有利于提高存储密度。纳米技术 第一次相同, 时间为20 h。这样便制成了AAO 模 为这种有序磁存储介质的实现提供了可能, 可以制 板。将A AO 模板放入 30 ℃0.3 mol/L 的H PO 3 4 备超高密度磁存储器。采用先进的电子束刻蚀技 [5] 腐蚀液中 , 模板上的微孔被逐步扩大, 20 m n 后 术, 可以制备磁性有