O 薄膜的制备及结构、磁性分析 - 河北师范大学学报.PDF

第32 卷/第4 期/ 河北师范大学学报/自然科学版/ Vol.32 No.4 2008 年7 月 JOURNALOFHEBEI NORMAL UNIVERSITY/Natural Science Edition/ Jul.2008 Zn0.96M n0.04 O 薄膜的制备及结构、磁性分析 1 2 3 1 刘清华, 　曲　蛟 , 　史彬茹, 　刘永利 (1.邢台学院物理系, 河北 邢台　054001;2.河北 筑工程学院数理系, 河北 张家口　075024; 3.河北交通职业技术学院, 河北 石家庄　050091) 摘 要:采用射频溅射法制备了Z n0.96Mn0.04 O 薄膜样品, 并对样品进行了结构和性能的检测, 其中使用的靶 材是通过标准固态反应法制备的.经过X 射线衍射分析, 样品均未被发现任何杂质相, 都表现为纤锌矿结构.磁性 测量表明, 薄膜样品在室温下表现出较强的铁磁性, 每个Mn 离子的饱和磁化强度为 1.05 μ, 矫顽力为0.0 1 T, 居 B 里温度高于400 K .分析表明, 薄膜样品所检测到的铁磁性不是杂质相的贡献, 而是 MnZnO 的内禀性质, 并且生长 环境及缺陷对样品的铁磁性产生了很大的影响. 关键词:Zn0.96Mn0.04O 薄膜;射频溅射法;磁性 中图分类号:O 484 　　　文献标识码:A 　　　文章编号:1000-5854(2008)04-0474-04 上个世纪, 以载流子电荷的运用为基础的半导体工业在人类历史上掀起了第三次技术革命, 极大地推动 了社会的进步.然而, 在半导体技术中, 由于以非磁性的硅和砷化镓为基础的半导体器件广泛使用, 半导体中 载流子自旋并不扮演重要角色. [1] 2000 年,Ohno 等 基于平均场理论预言, 在ZnO 和 GaN 中进行p 型掺杂可能出现高温铁磁性, Sato [2, 3] 等 也通过基于双交换机理的密度泛函计算指出, 在ZnO 中掺入M n, Fe, Co, Ni 等3d 过渡金属离子将显 示出铁磁有序.这些研究成果在稀磁半导体中掀起了一股新的研究热潮.理论上的预测表明只有p 型的 M nZnO 材料可以具有铁磁性, 然而实验上已经有关于n 型或绝缘体MnZnO 材料具有铁磁性的报道.例如: [4] ung 等 采用激光分子束外延的方法在蓝宝石基底上制备了绝缘体Zn1-x M nx O (x =0.30)的薄膜, 经过检 [5] 测该薄膜具有铁磁性, 居里温度大约为45 K;Heo 等 采用脉冲激光沉积法制备了在蓝宝石基底上沉积的 [ 6] 873 K 下退火的n 型薄膜具有室温铁磁性;Norton 等 采用离子注入法制备了(M n, Sn)ZnO 薄膜材料, 经 [ 7] 过检测样品的居里温度超过250 K;Fucumura 的小组 报道, Mn 掺杂ZnO 的薄膜表现出自旋玻璃态行为, [8] 样品中存在很强的反铁磁交换耦合作用.Parm anand 等 报道在均匀的低掺杂Zn