ZnO 薄膜的L-MBE 动力学机制 - 中国科学.PDF

中国科学 E 辑:技术科学 2007 年 第 37 卷 第 7 期: 881~889 SCIENCE IN CHINA PRESS ZnO 薄膜的L-MBE 动力学机制 ①* ① ② ② ① ①② 贺永宁 张景文 杨晓东 徐庆安 朱长纯 侯 洵 (① 西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系, 西安 710049; ② 中国科学院西安光学精密 机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 西安 710068) 摘要 利用自制高纯ZnO 陶瓷靶材进行了ZnO 薄膜的激光分子束外延(L-MBE) 生长, 发现ZnO 薄膜的L-MBE 生长的沉积速率远低于脉冲激光沉积(PLD)的沉积 速率, 并且基于ZnO 薄膜生长过程中ZnO 靶材与纳秒脉冲激光的刻蚀实验现象, 利用脉冲激光烧蚀ZnO 陶瓷靶材的热控制理论对ZnO 靶材的低刻蚀速率和ZnO 薄膜的低生长速率进行了分析讨论, 对实验结果进行了合理的解释. 分析了等离 子体羽辉的形成过程及其动力学特征, 揭示了ZnO 薄膜L-MBE 生长所具有的独 特动力学特性, 即高能等离子体冲击过程中的超饱和超快生长和脉冲间隙的热平 衡弛豫的交替过程. 高能沉积粒子和低生长速率对于高结晶质量ZnO 薄膜的外延 制备是十分有利的. 关键词 ZnO 薄膜 激光分子束外延 动力学机制 多种制备技术都可以用于沉积ZnO薄膜, 在过去关于ZnO压电薄膜、ZnO透明导电薄膜以 及敏感薄膜的研究中, 磁控溅射、化学气相沉积、热蒸发以及溶胶-凝胶工艺等是常见的ZnO [1] 薄膜制备方法. 1996 年, Reynolds等首次在低温下观察到了ZnO半导体单晶的激子激光现象 , 从而大大激发了人们对高结晶质量ZnO薄膜及其相关合金薄膜的外延生长、表征以及电子学/ 光电子学应用的研究兴趣. 目前, 经过近 10 年的实验研究和理论探索, ZnO 已经作为继GaN之 后, 在蓝光、紫光、近紫外波段光电子器件领域极具应用潜力的半导体材料. 此外, 它具有优 良的高场输运性质和较强的抗辐照能力, 对高速电子器件也具有潜在的应用价值. 利用 MOCVD 、分子束外延和激光脉冲沉积等先进的半导体薄膜工艺在蓝宝石和Si及GaN等衬底上 进行ZnO薄膜外延生长及其异质结制备研究已经取得了很大进展. 相比于MOCVD和MBE等传统的半导体薄膜外延技术, 脉冲激光沉积(pulsed laser deposi- ton, PLD)技术在高熔点金属氧化物薄膜的外延生长中具有独到的优势, 其主要特征是采用纳 秒准分子脉冲激光刻蚀多元素氧化物陶瓷靶材, 靶材辐照区在瞬间产生与靶材相同成分的等 离子体喷射物并沉积在对面的衬底上, 可以实现高氧压下多元素和复杂层状结构的各种氧化 收稿日期: 2006-04-20; 接受日期: 2006-09-23 “十五”211 工程、西安交通大学自然科学基金和“985”平台建设培植资助项目 * E-mail: yongning@ 882