直接敷铜陶瓷基板及制备方法.pdfVIP

第30卷 第 6期 山东陶瓷 Vo1．30 No．6 2007年 l2月 SHANDONG CERAMlCS Dec．2007 · 综述 · 文章编号：1005—0639(2007)06—0019—06 直接敷铜陶瓷基板及制备方法 井 敏，何 洪，宋秀峰 (南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京210016) 摘 要 直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术，随 着大功率模块与电力电子器件的发展与要求，直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷 基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。 关键词 陶瓷基板；DBC；发展 中图分类号：TQ174．75 文献标识码：A 合强度高，可以满足电子器件对基板材料的高绝 刖 茜 缘耐压、载流能力强、热导率高等性能的要求。 随着芯片技术的进步，集成电路正向着高集 DBC技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接 成化、布线细微化、芯片大型化及表面安装技术发 在陶瓷上，在铜与陶瓷之间仅仅存在很薄的过渡 展，与此相适应的电子封装与基板材料的开发趋 层，去除了敷铜层与陶瓷之间的低热导率的焊料， 势是使材料具有高纯度、低应力、低热膨胀、高热 降低其热阻。本文主要就近年氧化铝陶瓷基板与 传导率和高耐热等性能特征。封装材料除了保护 氮化铝陶瓷基板直接敷铜方法的进展情况做以介 芯片不受外界灰尘、潮气、机械冲击外，还起到了 绍。 机械支撑和散热的功能。与大规模集成电路和多 1 敷铜陶瓷基板的结构与性能特点 芯片组件(MCM)发展相适应，电子元件越来越 多，器件愈来愈复杂，从而导致基板尺寸的不断增 1．1 敷铜陶瓷基板的种类、结构与原理 大，功率耗散迅速增加，发热量急剧提高，一般基 DBC工艺首先是用于氧化铝陶瓷基板的表 板材料的散热性能很难应付。在电力电子技术 面金属化，后来应用于氮化铝等其它陶瓷的表面 中，电力电子的模块化、功率模块(Power Modu1) 金属化，使该工艺的应用范围扩大。其结构如图 正朝着高频、高可靠性、低损耗发展，对绝缘导热 1所示。 基板的性能提出严峻的挑战。在微电子封装中， 直接敷铜法(Direct Bonded Copper method) 影响其可靠性能的因素主要有热失效、热机械失 简称DBC，与钼锰法封接工艺相比，该方法属于 效，所以散热设计是电子封装的可靠性设计中一 薄膜工艺，热阻较小、结合强度高，在铜与陶瓷之 个重要部分。直接敷铜基板正是以导电、导热性 间仅仅存在很薄的过渡层去除了敷铜层与陶瓷之 为目的开发出的基板材料。 直接敷铜法(Direct Bonded Copper method) 简称DBC是一项新技术，是基于氧化铝陶瓷基板 的一种金属化技术，最早出现于上世纪 7O年 留 i 国 代L】q]，到8O年代中期，率先由美国GE公司的 ! |／ DBC研制小组将该技术实用化L4 ]。与钼锰法封 接工艺相比，该方法属于薄膜工艺，热阻较小、结 图1 DBC陶瓷基板(