第三章MOS集成电路器件基础.PDFVIP

第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOSFET 的结构与符号 NMOS管的简化结构 P型硅衬底（P-Substrate,Bulk or Body ） N + 源区和漏区（重掺杂 区） 栅级（重掺杂多晶硅区）/ 栅极薄氧化层 导电沟道（Channel ）：栅极薄氧化层下的衬低表面 导电沟道（Channel ） 3.1 MOSFET 的结构与符号 衬底连接/互补CMOS 为使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动，源区/ 漏区以及沟道和衬底之间必须形成反向偏置的PN结隔 反向偏置 正电源 离。 地 PMOS管 NMOS管 在互补型CMOS中， 在同一衬底上制作NMOS和PMOS， 因 此必须为PMOS做一个称之为“阱(Well)”的“局部衬底” 。