半导体基础知识概要1.pptVIP

费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 （２） 反向偏压 在ＰＮ结的P型区接电源负极，N型区接电源正极，叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动，没有正向电流。 PN结表现为大电阻。 但是，由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流，这个电流也称为反向饱和电流。 p型 n型 I PN结正偏时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； IF 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 反偏 PN结反偏时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 IR 2、PN结的反向击穿特性 当加到PN结上的反向电压增大到某个数值时，反向电流急剧增加，这种现象称为PN结的反向击穿。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 （1）电击穿（可逆） 齐纳(Zener)击穿： 较强的内电场将空间电荷区共价键中的价电子拉出。产生大量的电子空穴对，使空间电荷区的高阻性变差而击穿。掺杂浓度高易击穿。 雪崩击穿： 少数载流子在强电场作用下碰撞电离并产生连锁效应，造成空间电荷区中的载流子数目剧增，使Is突然增大。 （2）热击穿（不可逆） 反向电压 反向电流 结温 热激发 3 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形 成类似的浓度梯度分布曲线。 半 导 体 照 明 技 术 * 第四章 半导体的激发与发光 半导体发光二极管能将电能直接转变为光能。其原理是电能造成比热平衡时更多的电子和空穴，同时，由于复合而减少电子和空穴，造成新的热平衡，在复合过程中，能量以光的形式放出。 本章主要介绍PN结及其特性、注入载流子的复合、异质结构等内容。 固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1 ？什么是半导体 从导电特性(电导率)和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InP、InSb、GaP 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 半导体的能带结构 导 带 价 带 Eg 2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子 本征半导体：n=p=ni +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 二、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 三、本征半导体中的两种载流子 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 四、本征半导体中载流子的浓度 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 本征半导体中载流子的浓度公式： T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: