多晶硅薄膜的两步激光晶化技术.PDF

维普资讯 第 24卷第 4期 压 电 与 声 光 Vo1．24No．4 2002年 8月 PIEZOELECTRICS＆ACOUSTOOPTICS Aug．2002 文章编号 ：1004—2474(2002)04—0315—03 多晶硅薄膜的两步激光晶化技术 曾祥斌 ，徐重阳，王长安 (华 中科技大学 电子科学与技术系。武汉 43OO74) 摘 要 ：采用两步激光 晶化技术获得 了多晶硅薄膜 ，分析计算 了激光 晶化时薄膜 中的温度分布及表面温度与 激光功率密度的关系，利用计算结果确定并优化了激光晶化时的工艺参数 ，采用该技术制备了性能优 良的顶栅多 晶硅薄膜晶体管 ，测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性 ，从多晶硅薄膜 的制备工 艺上分析了提高薄膜晶 体管性能的原因。 关键词 ：激光 晶化 ；多晶硅薄膜 ；薄膜 晶体管 中图分类号 ：TN304．55 文献标识码 ：A TheStudyofTwo—Step LaserCrystallizati0n Technique 0fP0lycrystallineSilicon Thin Film ZENG Xiang-bin，XU Zhong-yang，W ANG Chang-an (Dept·ofElectronicScienceandTechnology．HuazhongUniversityofScienceandTechnology，W uhan430074。China) Abstract：Thepoly—Sithin film waspreparedusinganoveltwo—step lasercrystallization technique．Thetem— peraturedistributionandsurfacetemperatureofpoly-Sithinfilm duringlasercrystallizati0nwascalculatedbysolv— ingthe thermal—transferconduction equation．The processparametersoflasercrystallization ofpoly—Sithin film wereconsideredandoptimizedusingthecalculatedresults．Thehigh—performancepoly—SiTFTswereachievedus— ingtwo—steplasercrystallization technique．TheI-V and transfercharacteristicsofpoly—SiTFTsfabricatedusing two—steplasercrystallizationandconventionalsingle—steplasercrystallization weremeasured．Thereasonthatthe characteristicsofpoly-SiTFT wereimprovedbytwo-steplasercrystallization wasanalyzed． Keywords：lasercrystallizati0n；poly—Sithinfilm ；thinfilm transistors 量 ，引起温度升高 。在极短的时间内达到很高温度 ， 1 引言 使 n—Si薄膜 晶化形成 p—Si薄膜 ，当一束激光照射到 激光 晶化方法是诸 多获得多晶硅薄膜的最佳方 n—si薄膜表面时，n—Si膜吸收激光能量而将其转变 法之一Llj，晶化效果与起始 n—Si