大信号电路模型.PPT

例2 试求下图(a)所示电路中晶体三极管的各极电压和电流值。已知?＝100。 先将电路转化为(b)所示电路，再通过戴维宁定理将电路等效为(c)所示电路。 解: 例3 试求下图(a)所示电路中晶体三极管的各极电压和电流值。已知?＝100。 解: (a) (b) 与例2一样，先通过戴维宁定理将电路等效为(b)所示电路，VBB＝2 V，RB＝16.67 k?。 输入回路直流方程 ： 也可以直接先求IE： 试求下图所示电路各极交流电流和电压值。已知ICQ=1mA， v=20sin?t(mV)，?=100，VA=?100V。 二、交流分析 例4 分析方法：先根据直流工作点求三极管的各个小信号参数，并在电路的交流通路中用小信号电路模型取代晶体三极管 ，再求解交流电流和电压值。 解: 2.4 三极管应用原理 2.4.1 电流源 理想电流源： 三极管组成的电流源： 2.4.2 放大器 一、放大器的组成 基本放大器由4部分构成： 晶体三极管 偏置电路 信号源 负载 二、放大器的直流通路和交流通路 交流通路： 隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路， 独立的直流电压源短路，独立的直流电流源开路。 直流通路： 隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。 实际放大器电路 直流通路 交流通路 三、放大器的偏置电路 基本要求：一是提供放大管所需的静态工作点Q；二是静态工作点在外界因素变化或变换管子时，力求维持不变。 Q′点: 放大电路产生截止失真； Q点: 放大电路产生饱和失真。 三极管温度特性：三极管的VBE(on)、? 和ICBO 三个参数受温度影响很大，导致静态工作点会随着温度而改变。温度每升高1oC， ?的相对值就会增加1%，而VBE(on)减少2.5mV，这样会导致集电极输出电流ICQ随温度上升很快，静态工作点移向饱和区，而ICQ又主要取决于?和IBQ 。 稳定输出电流的方法：对于给定的偏置电路，静态工作点及其稳定性主要取决于ICQ及其稳定性，一个高热稳定性的偏置电路实际上就是能够稳定ICQ的电路。可以通过检测输出电流的变化，同时用检测信号来控制输入回路电流IBQ的方式实现ICQ的稳定，。 一、RB1和RB2作为VCC的分压电路，提供T管的偏置电压； 二、在发射极上接入RE,可以在当温度升高，引起ICQ增大时，由于在RE上的压降相应增大，VBEQ减小，导致IBQ减小，从而阻止ICQ的增大，反之亦然。(也可以通过将RE等效到输入回路中分析) 三、分压式偏置电路之所以能够有效地稳定静态工作点就在于反馈电阻RE对ICQ的自动调节作用。 分压式偏置电路： * * 第 二 章 晶 体 三 极 管 三极管基本结构及电路符号 三极管典型封装形式 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 2.1.1 内部载流子传输过程 当NPN型晶体管工作在放大模式，即发射结加正偏，集电结加反偏时： IEn: 发射区中多子自由电子通过发射结到基区的电子电流 IEp: 基区中多子空穴通过发射结到发射区的空穴电流 ICp: 集电区中少子空穴通过集电结而形成的空穴电流 ICn1: 基区中到达集电结边界的非平衡少子电子通过集电结的电子电流 ICn2: 基区中少子电子通过集电结而形成的电子电流 集电结反向饱和电流: 两个结共同流入基极的电流: 三极管三个极的电流关系: 综上：只有发射区中多子自由电子通过发射结电流IEn转化为集电结电流ICn1，成为产生上述正向受控作用的载流子，大小只受正偏发射结电压控制；其他载流子流为寄生电流。 减小寄生电流： 发射结为不对称结，发射区搀杂浓度远大于基区； 基区宽度小； 集电结面积大于发射结。 ?E : 发射区发射效率，表示能够转化为集电极电流的有用成分IEn在IE中占的百分比 ?B : 基区传输效率，表示受控集电极电流ICn1在IEn中占的百分比 共基极电流放大系数: (表示IE转化为ICn1的能力) 2.1.2 电流传输方程 晶体三极管的三种连接方式： 共发 共基 共集 一、共基极 由ICBO很小，则 二、共发射极 : 共发射极电流放大系数 ICEO: 穿透电流，为基极开路时(IB=0)的集电极电流。 引入参数 引入参数 ?的物理含义 : 表示IB中受发射结电压控制的电流成分（IB+ICBO)对集电极正向受控成分ICn1=(IC?ICBO)的控制能力，若忽略ICBO，则表示IB对IC的控制能力。 ICEO的物理含义 发射结正偏，集电结反偏，晶体管仍然工作在放大模式。基极开路时，IB=0，IB中的受控电流成分IEp+IEn?ICn1=ICBO，其值被放大 倍，再加上集电