平面光波导技术及其器件发展-激光世界.PDF

技术中心 Technologies Center 高功率半导体激光器 平面光波导技术及其器件发展 文/陈波，余朝晃，彭彦斌：湖南新中合光电科技股份有限公司 向桂花，曲星；国网湖南省电力公司湘西供电分公司 高容量、高速率、高智能是光纤 发展，该技术也得到了快速发展，逐 同。集成电路技术对所成薄膜的厚度、 通信技术的发展趋势。随着全 步形成了自身特色。且大多数功能结 折射率和残余应力要求不甚严格，但 球经济一体化进程的全面加速，全社 构均在同一光学衬底上，主要结构是 对于平面光波导技术而言，厚度、折 会对音视频、数据、多媒体及电子商 光波导通道，因此称该技术为平面光 射率和残余应力则要求精细控制，否 务等业务的需求急剧增长，建设具有 波导技术（Planar Lightwave Circuit ）。 则不能实现光波信号的产生、控制、 高容量、高速率、高智能的全光通信 平面光波导技术是在集成电路技 传输与探测。 网络已成为必然。20 世纪是微电子的 术的基础上发展起来的，有其独特的 目前平面光波导技术主要是针 世纪，其发展遵循著名的“摩尔定律”； 地方。集成电路的基本元件是电阻、 对 6 英寸衬底，国内生产厂家有 21 世纪是光电子的世纪，其发展也将 电容、电感和晶体管（二极管、三极 河南仕佳光子、上海鸿辉、杭州晶 遵循“光摩尔定律”，即光纤通信的 管），集成电路技术是在硅衬底上通 诚、湖南新中合。国外厂家有韩国的 传输带宽平均每9~12 个月增加一倍， 过薄膜沉积、扩散、外延、光刻、刻蚀、 PPI 、Fi-Ra 、Wooriro 、Neon ， 美 国 用户数每3~6 个月翻一番。要实现高 退火等工艺制作这些基本的元件，并 的NeoPhotonics 、Enablence ，日本的 容量数据的高速传输与交换，对以密 且用导线互联。平面光波导的基本元 NTT 、AiDi 等。8 英寸衬底目前只有 集型波分复用为基础的全光网络器件 件是激光器、光波导和探测器，所用 韩国Way optics 可提供。下面以SiO2 提出了新的要求。光纤通信器件的发 衬底材料各异、如InP 、GaAs、SiO2 、 平面光波导器件为例，说明平面光波 展也将发生很大变化，从原来的分立 LiNbO3 等，材料各异工艺也不尽相 导技术的工艺流程，如图 1 所示。 元器件向阵列器件发展，从体块型器 硅/石英 PECVD/氧化 FHD/CVD沉 PVD溅射金 件向波导型器件发展，从离散器件向 衬底 沉积下包层 积芯层并退 属掩膜 集成化发展。 平面光波导技术 1969 年，贝尔实验室的Miller S. 等离子体 去光刻胶 曝光显影 涂光刻胶 E. 首次提出了“集成光学”的概念， 刻蚀金属 宣告了光纤通信产业进入集成器件的 时代。采用集成电路技术（Integrated Circuit ）制造波导芯片的光路，将常 规分立光学元件的各种功能集成到同 SiO 下包层 2 等离子体 FHD/CVD沉积 去金属掩膜 掺Ge的SiO 芯层 一光学衬底表面，完成常规由多个分 刻蚀芯层 上包层并退火 2 立光学元件所构成的庞大光学系统的 Cr或Al金属掩膜层 光信息处理能力，实现光波信号生产