半导体光电子学第一章剖析.ppt

当注入电流由零开始增加时，所注入的载流子也同时增加，并用来产生自发辐射复合。随着注入载流子浓度的增加，并达到粒子数反转条件Fc - Fv≥ Eg时，也有少量注入载流子将产生受激辐射复合，但与自发发射复合相比，这部分载流子所占比例是很小的。当注入载流子浓度进一步增加，使粒子数反转达到达到光子增益与其损耗相抗衡的某一阈值以后，这时所注入的电流除用来维持自发辐射外，更主要是用来产生受激辐射，这时总的电流 其中 Isp与Ist分别为产生自发辐射与受激辐射的电流． 这样，式(1.7-2)表示的电流密度在达到阈值Jth以前可以近似表示为 (1.7-3) rsp为单位体积、单位能量间隔的自发辐射速率， 从图1.7-2看到，增益系数从某一电流密度Jt开始为正值，此时在增益介质中已经形成粒子数反转。此后，随着电流密度的增加，介质的增益系数相应地增加。当电流密度达到某一阈值Jth时，由子增益饱和效应致使增益系数不再随电流密度发生大的变化，而使增益系数被“钳制”在阈值增益处，对于不处于振荡状态的光子（如在 LED 有源区中的光子），增益系数按图中虚线随电流密度变化． 峰值增益与电流密度之间的关系可拟合成下面的线性关系： Jt是增益曲线在电流密度坐标上的截距，对应于刚好满足粒子数反转条件Fc-Fv=h?或增益恰好为正值时的电流密度。 系数A无明显的物理意义，只是代表某一温度下增益与电流密度关系曲线