十二章装配与封装.ppt

12.2.2陶瓷封装 应用于要求具有气密性好、高可靠性或者大功率的情况。 陶瓷封装有两种方法： 耐熔（高熔点）陶瓷 薄层陶瓷 一、耐熔陶瓷 1、耐熔陶瓷基座：由氧化铝（Al2O3)粉和适当的玻璃粉及一种有机媒质混合而构成的浆料，被铸成大约1密耳（1密耳约25微米）厚的薄片，干化，在各层制作用户连线电路的布线图案，用金属化通孔互连不同的层，几个陶瓷片被精确地碾压在一起，然后烧结构成一个单一地熔结体。 2、耐熔陶瓷种类：可根据烧结温度地不同分为 高温共烧结陶瓷（HTCC）——烧结温度1600 °C 低温共烧结陶瓷（LTCC）——烧结温度850 °C 到 1050 °C 3、耐熔陶瓷封装材料的挑战： 高收缩性（使公差难以控制） 高介电常数（增加了寄生电容，并影响高频信号） 氧化铝的电导率（称为信号延迟的原因） 4、陶瓷封装的形式： 最常用的管脚形式是100密耳间距的铜管脚，组成针栅阵列（PGA）管壳，这是为电路板装配的插孔式管壳。PGA被用于高性能集成电路，PGA管壳经常需要一些散热片或小风扇排出管壳内产生的热。 二、薄层陶瓷 陶瓷封装的一种低成本方法是在引线键合后，将两个陶瓷件压在一起，引线框架被定位在它们之间，这种封装被称为陶瓷双列直插，使用低温玻璃材料将陶瓷层密封。 12.3先进的装配与封装 未来封装目标：通过增加芯片密度